COPERTA arh. A. Mureşanu DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SEMICONDUCTORS ·~qo . . .. ~~99.UCĂTOR C1 .... 1.o . . .J ,_ _ µei" ..Jv • 1.... la MANUFACTURER CIRCUITE INTEGRATE 1.P.R.S. BĂNEASA 32, Erou Iancu Nicolae Street TeJephone: 33.40.50. Telex: 11203 l.P.R.S.R. O INTEGRATED CIRCUITS 72996 BUCHAREST ROMAN IA A TRANZISTOARE W TRANSISTORS f t DIODE ~ DIODES PUNTI REDRESOARE RECTIFIER BRIDGES TIRISTOARE THYRISTORS TRIACE; DIACE TRIACS; DIACS Acest catalog a fost elaborat în cadrul Intreprinderi i de Piese Radio şi Semiconductori - Băneasa de : ing. O. BODEA - diode şi tiristoare CONDENSATOARE ing. G. CĂLINESCU - condensatoare ing . R. COTEŢ - circuite integrate CAPACITORS ing.; · M. POPESCU - _tranzistoare • <;( Acest catalog prezi ntă date le componentelor semiconduc- CU PRINS CONTENTS toare fabricate la 1.P .R .S. Băneasa . Datele privind produsele noastre sint prezentate prescurtat pentru a vă permite o rapidă orientare asupra principalelor lor caracteristici şi pentru a vă facilita compararea perfor- Pag . manţelor cu cele ale unor produse similare. Page La sfirşitul cat alogului sint incluse desenele cotate ale L sta alfa numer i că . . . .. .. . .. . ....... . .. . . .. . . ...... . 8 capsulelor utilizate.' Alfanumerica/ index Pentru informaţii suplimentare privind orice produs , vă rugăm să luaţi legătura cu noi direct. U sca simbolurilor util izate .„ . . . . . • . .• . . . . . • . . . . • . . . . Sugestiile dv . privind acest catalog vor fi binevenite ; vă Symbo/s .. . . ... ... . .. . .. . . . . .. . . .. . .. . . ..... . ...... . mulţumim pentru interesul arătat faţă de întreprinderea noastră , produsele şi serviciile sale. C IRCUITE INTEGRATE INTEGRATED CIRCU/TS This guide presents qulck reference date on l.P.R.S. Băneasa C ircuite integrate logice 21 components . Digital integrated c/rcu/ts Product informations is deliberately abbreviated to give a rapid appreciatlon of sa/ient characteristics and to enable C ircuite integrate liniare 23 the performances of similar types to be compared quickly. Linear integrated circuits Outline drawings showing dimensions and detai/s of the encap- sulation to which the devices comply are inc/uded at the end TRAN ZISTOARE CU SILICIU of the guide. SIUCON TRANSISTORS For additional detai/s on any product in this offering (or for application assistance ), please contact one of our world-wide Tranzistoar e de joasă frecvenţă , mică putere ........ . . 39 commercial offices . Low fr equency, Jow power transistors Your comments regarding this guide are always welcome and we thank you for your continued interest /n our company, lts Tranzistoare de joasă frecvenţă, medie putere .. ..... . 41 Low frequency medium power transistors products and services. Tranzistoare de joasă frecvenţă, de putere .... . . . . . . 42 Low frequency power transistors Tranzistoare de înâltă frecvenţă, mică putere. .... . .. 46 High frequency low power transistors Tranzistoare amplificatoare de înaltă tensiune... .... . 48 High voltage ampli fiers Tranzistoare pentru apl i caţii de comutaţie rapi dă .... 49 Sl1'1tching applications transistors Tranzistoare de comutaţie rapidă , de putere.. . ..... 52 Fast switching, power transistors DIODE CU SILICIU SJLJCON DIODES Diode de comutaţie 57 Switching diodes I .P .R .S .BANEASA Diode- pentru comutare Diodes for switching applicatlons ....... . .. ............ ..... . 58 INTREPRINDEREA DE PIESE RADIO O ode de uz general .......... . . . . .. . ...... . . . . . ... . 58 ŞI SEMICONDUCTORI BĂNEASA General purpose diodes Diode IMPATT ..................................... . 59 Condensatoare cu hîrtie uleiată pentru curent alter- IMPATT diodes nativ HPA, HSA .. ......... . ....................... . 101 A.C. paper capacitors (oii impregnated J HPA HSA Diode varicap ..................................... . 60 Var/oble capacltance diodes Condensatoare cu dielectric mixt ... . ...... . ........ . 102 Mixt dielectric capac/tor D iode de referinţă în direct ... . ........ .. . . ....... . 60 Reference diodes A) Pentru impulsuri HPI ...... ... ... . . .. . ........ . 102 Diode ZENER ....... . . ............ . ............ . .. . 61 For impulse generators HP/ ZENER diodes B) Pentru protecţie diode - redresor HPR 30.56 .... 103 Diode redresoare (normale şi rapide) ............... . 70 For rectlfrer protection HPR 30.56 Rectifier diodes (normal and (ost recovery J Condensatoare pentru motoare HAM 2.7 .00 ......... . Diode cu avalanşă controlată ....................... . 80 Motor capac/tors HAM 27 .00 Control/ed avalanche diades Condensatoare în consţrucţie MKV şi cu hirtie metalizată pentru motoare HMPM, HMM .................. ... . 105 PUNŢI REDRESOARE Meta/ized poper and MKV construction capac/tors for motor RECT/FIER BRIDGES HMPM , HMM Punţi redresoare monofazate 81 Condensatoare cu hîrtie metalizată pentru lămpi fluores- Rectifier single phose bridges cente HMP .. .. . ..... ........... . ... .. . .. ... .. . ... . 106 Metalllzed paper (or fluorescent Jamps HMP Punţi redresoare cu avalanşă controlată ............. . 83 Control/ed avalanche recti fier phose bridge Condensatoare pentru startere HS 71.00 ............. . 106 Capacitors (or starters HS 71 .00 Punţi trifazate ..................................... . 83 Three phase bridges Condensatoare de anti parazitare 107 Suppresion capac/tors TIRISTOARE A) Condensatoare multiple HZ 9-4.00 . . . . . . . . . . . . . . . . 107 THYRISTORS Multiple copocitors HZ 94.00 Ti ristoare de mică şi medie putere ................. . 84 B) Condensatoare de trecere PMZ 6-4.00 108 l.Dw and medlum power thyristors By-pass capac/tors PMZ 64.00 Ti ristoare de putere normală . ............ . ... .. .... . 89 Condensatoare cu hirtie pentru echipament auto Normal power thyristors HS 65 .00 „ . „ „ „ . „ „ „ „ „ .. „ „ „ „ „ „ . „ ... „ 109 92 Motor-car capocitors HS 65 .00 Tiristoare de putere rapide Fast power thyristors Condensatoare cu dielectric mixt pentru echipament auto „OLTCIT" HS 67.00 .. „ .. „ „. „ „ . „ . „ . „ „ 110 TRIACE 9-4 Motor-car capacitors HS 67 .00 TRIACS CONDENSATOARE ELECTROLITICE 111 DIACE 95 ELECTROLYTIC CAPAC.ITORS DIACS CONDENSATOARE ELECTROLITICE NEPOLARIZATE 130 NONPOLARIZED ELECTROLYTIC CAPAC/TORS CONDENSATOARE CU HÎRTIE PAPER CAPAC/TORS CAPSULE 133 OUTLINES Condensatoare cu hîrtle uleiată pentru curent continuu HC 2-4.00 ................... ·. · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 99 RADIATOARE 159 D.C. poper copacitor (oii impregnated) HC 24.00 HEATSINK 6 ; 7 INDEX ALFANUMERIC INDEX ALFANUMER ll ;. LFANUMERICAL INDEX ALFANUMERICAL /NOE ; T, p Type Paa./Por• I Tip / Type Paa. /Par• I I Tip/ Type Paa./ Paa• -„ Trt>e P•c-/Par• I Tip/ Type P•g./Page I Tip / Type Pac./ Pat• B -40 C 1500 N 81 BC 415 40 Bf 214 46 BUR 606 D 52 CDB 483 E 22 D 16 F 2 H 8 80 C 1500 N 81 BC 416 -40 Bf 215 46 BUR 607 52 CDB 486 E 22 D 16 f 3 H 8 125 C 1500 N 81 BC 516 40 BF 240 46 BUR 607 D 52 CDB 490 E 22 D 16 F 4 74 8 250 C 1500 N 81 BC 517 39 BF 241 46 BUR 60S 52 CDB 492 E 22 D 16 F 5 74 B 500 C 1500 N 81 BCY 58 39 Bf 254 46 BUR 608 D 52 CDB 493 E 22 D 16 F 6 74 BA 157 70 BCY 59 39 BF 255 46 8XY 0181 59 CDB 495 E 22 D 16 F 8 H BA 158 70 BCY 69 39 BF 257 48 BXY 0182 59 CDB 837 E 22 D 16 F 10 H BA 159 70 BCY 78 40 8F 258 48 BXY 0301 59 CDB S3S E 22 D 16 N OS 73 BA 170 58 BCY 79 40 BF 259 48 BXY 0302 59 CDB 4121 E 22 D 16 N 1 73 BA 171 58 BD 135 41, Bf 272 A 47 8XY 0381 59 CDB 4151 E 22 D 16 N 2 73 BA 172 58 8D 136 41 BF 297 48 BXY 0382 59 CDB 4153 E 22 D 16 N 3 73 BA 243 58 8D 137 41 BF 298 43 BXY 0391 59 CDB 4157 E 22 D 16 N '4 73 BA 2« 58 BD 138 41 Bf 299 48 BXY 0392 59 C DB 4192 E 22 D 16 N S 7l BAX 157 70 BD 139 41 BF 316 A 47 BXY 0501 S9 CDB 4193 E 22 D 16 N 6 73 BAY 93 57 BD HO 41 Bf 457 48 8XY OS02 59 CLB 2711 EC 2S D 16 N 8 74 BB 121 60 BD 142 « BF 458 48 BXY OS81 S9 D 1 N 13 71 D 16 N 10 74 88 122 60 BD 233 42 BF 459 48 BXY 0582 59 D 1 N 16 71 D 16 N 12 74 88 125 60 BD 2H 45 BF 479 47 8XY 0591 S9 D 10 A 4 80 D 16 N H 74 88 126 60 BD 235 42 BF 479 S 47 BXY OS92 S9 D 10 A 6 80 D 16 N 16 74 88 139 60 BD 236 4S BF 506 47 CD8 400 E 21 D 10 A 8 80 D 25 A '4 80 ac 101 39 BD 237 42 Bf 509 47 CDB 402 E 21 D 10 A 10 80 D 25 A 6 80 ac 1oe 39 BD 23S 45 BF 914 47 CDB 403 E 11 D 10 f 05 73 D 25 A 8 80 BC 109 39 BD 433 ' 42 BFX S9 46 CDB 404 E 21 D 10 F 1 73 D 25 A 10 80 SC 170 39 45 BFY 90 46 CDB 40S E 11 D 10 f 2 73 D 25 A 12 80 BD 4H 8C 171 39 BSV 15 51 C DB 406 E 21 D 10 f) 73 D 25 AH 80 BD 435 42 ac 112 39 BD 436 45 BSV 16 51 C DB 407 E 21 D 1o f 4 73 D 2S F 05 75 BC 173 39 aD 437 42 B5V 17 51 CDB 408 E 21 D 10 f s 73 D 2S F 1 75 BSV 89 49 CDB 409 E 21· D 1O F 6 73 D 25 F 2 75 BC 174 39 BD 438 45 BC 177 40 B5V 90 49 CDB 410 E 11 D 10 F 8 73 D 25 F 3 75 BD 439 42 BSV 91 49 C DB 411 HE 21 D10F10 73 D 25 F 4 75 BC 17S 40 BD 440 45 BC 179 40 BSW 19 51 CDB 413 E 21 D 10 N OS 72 D 25 f 5 75 BD 4'41 -42 CDB 416 E 21 D 25 F 6 75 se 190 39 BD 442 45 BSW 21 51 D 10 N 1 72 BSW 21 A 51 C DB 417 E 21 D 10 N 2 72 D 25 F 8 75 BC 237 39 BD 675 -42 BSW 22 51 CDB 420 E 21 D 10 N 3 72 D 25 F 10 75 BC 238 39 BD 676 -45 BC 239 39 BSW 22 A 51 C DB 430 E 21 D 10 N 4 72 D 25 N 05 75 BD 677 -42 49 CDB 432 E 21 D 10 N S 72 D 25 N 1 75 ac 250 -40 aD 67S 45 a sx 12 49 CDB 440 E 21 D 10 N 6 72 D 25 N 2 75 ac 251 -40 BD 679 42 BSX 21 BSX 45 49 CDB 442 E 21 D 10 N 8 73 D 25 N 3 75 ac 252 40 BD 680 45 -49 C DB 4SO E 21 D 10 N 10 73 D 25 N 4 75 ac 253 40 BD 681 -42 BSX 46 a sx 47 49 C DB 4S1 E 21 D 10 N 12 73 D 25 N 5 75 ac 256 40 BD 682 45 46 BSX 51 49 C DB 4S3 E 22 D 10 N 14 73 D 25 N 6 75 ac 101 40 BF 115 D 10 N 16 73 D 25 N 8 75 ac 308 40 BF 167 46 a5X 51 A , 49 C DB 454 E 22 -49 D 16 A 4 80 D 25 N 10 75 BF 173 46 BSX 51 8 C DB 460 E 22 IC 309 40 BSX 51 a 49 D 16 A 6 80 D 25 N 12 75 BF 180 46 CDB 472 E 22 IC 327 40 IC 321 40 BF 181 46 BSX 52 „ -49 49 CDB 473 E 22 D 16 A 8 D 16 A 10 80 80 D 25 N H D 25 N 16 75 75 BF 1S'4 46 I SX 52 A IC 3J7 39 C D8 4H E 22 D 16 A 12 80 D 32 F 05 76 BF 185 46 BSX 52 8 49 IC HI 39 CD8 475 E 22 D 16 AH 80 D 32 F 1 76 BF 198 46 BU 806 R 52 C DB 476 E 22 D 16 F 05 H D 32 F l 76 IC 413 39 BF 199 46 au ao1 R Sl CDB 481 E 22 D 16 f 1 H D 32 F 3 76 ac 414 39 BF 200 46 BUR 606 52 8 INDEX ALFANUMERIC INDEX ALFANUMERIC ALFANUMER/CAL INDEX INDEX ALFANUMERICAI Tip/ T1pe h1./Pafe I Tip/T1~ hc./ Pofe I Tip/T1P• l'a1. /Po1e • Type Pa1./Pore Tip/ T1pe Pa1./ Po1e Tip/ T11>e Pas./ Porp O 3l F 4 7' oe so 95 F 107 70 O 32 F S 76 oe so A 95 F 112 71 Pl 33 z 65 T3F1P 85 T 16 N 6 87 O 3l F 6 76 OP 450 S7 F 202 71 Pl 36 z 65 T3F2P 85 T 16 N 7 87 O 32 F 8 76 OP 451 57 F 207 70 pt 39 z 65 TlflP 85 T 16 N 8 87 O 3l F 10 76 DllO 1 60 F 307 70 l'l. 43 z 65 T3F.fP 85 T 16 R OS 87 O 32 N 05 7S OllO 2 60 F 402 71 P'l 47 z 65 T3F5P 85 T 16 R 1 87 O 32 N 1 7S OllO 3 60 F 407 70 Pl 51 z 65 T 3 F 6 P 85 T 16 R 2 87 O 32 N 1 75 Dllll 10'4 70 F 602 71 l'l 56 z 65 T 3 N 05 84 T 16 R 3 87 O 32 N 3 7S ORR 20'4 70 F 802 71 l'l. 62 z 65 T 3 N 1 84 T1'R4 87 O 32 N 4 75 OllR 40'4 70 HAM 2700 10'4 l'l 68 z 65 T 3 N 2 84 T 16 R S 87 O 32 N 5 75 ORll 60'4 70 He 2400 99-100 P'l 7S z 6S T3N4 84 T 16 R 6 87 O 32 N 6 76 ORR 114 70 HMM 105 l'l 82 z 6S T 3 N 6 84 T 16 R 7 87 O 32 N 8 76 OZ 1 61 HMP 106 Pl 91 "Z 6S T 3 N 8 85 T 16 R 8 87 O 32 N 10 76 OZ 2 V 7 61 HMPM 105 l'l 100 z 6S T 3 N 05 P 85 T 22 N 05 87 O 32 N 12 76 OZ 3 61 PMZ 6400 108 l'l 110 z 6S T3N1P 85 T 22 N 1 87 O 32 N 14 76 OZ 3 V 3 61 HPA 101 PL 110 Z ' 65 T3N2P 85 T 22 N 2 87 O 32 N 16 76 OZ 3 V 6 61 HPI 101 PL 130 Z 6S TJNJP 8S T 22 N J 88 040F05 77 OZ 3 V 9 61 HPR 3056 103 PL 150 Z 65 T3N4P 8S T 22 N 4 88 040F1 77 OZ 4 V 3 61 H5 6SOO 109-110 PL 160 Z 65 T3N5P 8S T 22 N S 88 040F2 77 OZ 4 V 7 ~1 HS 6700 110 PL 180 Z 65 TJN6P 8S T22N6 88 040F3 77 OZ 5 V 1 61 HS 7101 106 PL 200 Z 6S T6FOSP 8S T22N7 88 040F4 77 OZ 5 V 6 61 HSA 101 llA 120 74 T6F1"" 86 T 22 N 8 88 040FS 77 OZ 6 V 2 61 HZ 9400 107 llA 125 75 T6Fll' 86 T 22 R OS 88 O 40 F 6 77 OZ 6 V 8 61 KS 1060 78 RA 220 7.f T6F3P 86 T 22 R 1 88 O 40 F 8 77 OZ 7 V 5 61 KS 1160 78 RA 115 75 T6F4P 86 T22R2 88 O 40 F 10 77 OZ 8 V 2 61 KS 4060 78 RAG 115 73 T6FSP 86 T 22 R 3 88 O 40 N 05 76 OZ 9 V 1 61 KS 6060 78 RAG 115 73 T6F61' 86 T 22 R 4 88 O 40 N 1 76 OZ 10 61 KU 290 78 SAS S60 S/570 S 36 T6NOSP 8S T 22 R S 88 O 40 N 2 76 OZ 11 61 KU 490 78 s or 9201 4S T 6 N 1 P 85 T 22 R 6 88 O 40 N 3 76 OZ 12 61 KU 890 78 SOT 9102 45 T 6 N 1 P 85 T 22 R 7 88 O 40 N 4 76 OZ 13 61 KU 1090 78 s o r 9103 45 T6N3P 8S T 22 R 8 88 O 40 N 5 76 OZ 15 61 KU 1290 78 SOT 9204 4S T 6 N 4 P 85 T 195 F 200 E 92 040N6 " 77 OZ 16 61 KU 1490 78 SDT 9105 4S T 6 N S P 85 T 19S F 400 E 92 O 40 N 8 77 OZ 18 61 PL 3 V 3 Z 64 SOT 9106 45 T 6 N 6 P 85 T 195 F 600 E 91 O 40 N 10 77 OZ 10 61 PL 3 V 6 Z 64 SOT 9107 45 T 10 N OS 86 T 195 F 800 E 92 O 40 N 12 77 OZ 22 61 PL 3 V 9 Z 6.f SOT 9108 45 T 10 N 1 8' T 195 F 900 E 92 O 40 N H 77 OZ 24 61 PL .f V 3 Z 64 SOT 9109 4S T 10 N 2 86 T 195 F 1000 E 92 O 40 N 16 77 OZ 27 61 PL .f V 7 Z 6.f SOT 9110 4S T 10 N 3 86 T 195 F 1100 ~ 92 O 50 N 05 n OZ 30 61 PL 5 V 1 Z 6.f ST 71 C 11 lS TUIN.f 86 T 195 F 1200 E 92 O 50 N 1 n OZ 33 61 PL 5 V 6 Z 6.f T 1 N OS 84 T 10 N 5 86 T 195 F 1300 E 92 O 50 N 2 n OZ 36 61 PL 6 V 2 Z 64 T 1 N 1 84 T 10 N 6 86 T 200 N 200 E 89 O SO N 3 n OZ 39 61 PL 6 V 8 Z 6.f T 1 N 1 8.f T 10 N 7 86 T 200 N 400 E 89 O 50 N .f n OZ .fJ 61 PL 7 V 5 Z 6.f T 1 N 4 84 T 10 N 8 86 T200N600E 89 O 50 NS 77 OZ .f7 61 PL 8 V 2 Z 6.f T 1 N 6 84 T 10 R OS 8' T 200 N 800 E 89 O 50 N 6 n OZ 51 61 Pl 9 V 1 z 64 T 1 N B 84 T 10 R 1 86 T 100 N 1000 E 89 O SO N 8 n EG 1100 128-129 Pl 10 Z 64 T 1 R OS 84 T 10 R 2 86 T 100 N 1100 E 89 O SO N 10 n EG 2400 127 Pl 11 Z 6.f T 1 R 1 84 T 10 R J 87 T 200 N 1200 E 89 050N11 n EG 5200 111-116 Pl 12 Z . 64 T 1 R 2 84 T 10 R 4 87 T 200 N 1400 E 89 OSONH n EG 6100 117-119 Pl 13 Z 64 T 1 R 4 84 T 10 R S 87 T 200 N 1600 E 89 O SO N· 16 n EG 6300 120 Pl 15 Z 64 T 1 R 6 84 T 10 R 6 87 T 200 N 1800 E 89 DAC 08 26 EG 7300 126 Pl 16 Z 64 T 1 R B 84 T 10 R 7 87 T 150 N 200 E 89 oe 32 95 EG 7.fOO 121 - 123 Pl 18 Z " 64 T 3 F 05 85 T 10 R 8 87 T 250 N 400 E 89 oe 32 A 9S EG 7600 124-125 Pl 10 Z 64 T 3 F 1 8S T 16 N OS 87 T 150 N 600 E 89 oe 38 9S EN 7SOO 130 Pl 22 Z 64 T 3 F 2 8S T 16 N 1 87 T 2SO N 800 E 89 DC 38 A 9S F OS7 70 Pl 24 Z 65 T 3 F 4 8S T 16 N 2 87 T 2SO N 1000 E 89 DC« 95 F 087 70 Pl 17 Z 65 T 3 F 6 85 T 16 N J 87 T 250 N 1100 E 89 DC« A 95 F 101 71 Pl 30 Z 65 T 3 F 8 85 T 16 N 4 87 T 250 N 1200 E 90 T J F OS P 8S · T 16 N S 87 T 250 N 1400 E 90 10 INDEX ALFANUMERIC INDEX ALFANUMERIC ALFANUMERICAL INDEX ALFANUMERICAL INDEX I I Tlp/ Type Pa1./ l'a1• I Tip / Type Pa1./Pa1• Tlp/ Type Pa1./l'a1e To p/ Type Pac./Page I Tip/ Type Pac./ Par• I Tip/Type Pac./ Par• I 62 39 4 OZ 68 66 10 PM 1 81 T lSO N 1600 E 90 . TB 10 N 2 94 1 N 3022 B 2 N 930 62 49 4 OZ 82 66 10 PM 2 Bl T 150 N 1800 E 90 T8 10 N 3 94 1 N 3023 B l N 1613 61 49 4 OZ 100 66 10 PM 4 82 T 190 F 100 E 93 TB 10 N 4 94 1 N 3024 B 2 N 1613 A 62 4 OZ 110 66 10 PM 4 AC 83 T 290 F 400 E 93 TB 10 N S 94 1 N 3025 B 2 N 1711 49 62 4 OZ 150 66 10 PM 6 AC 83 T290F600E 93 TB 10 N 6 94 1 N 3026 B 2 N 1711 A 50 10 PM 8 AC 83 T 290 F 800 E 93 TBA 120 U 31 1 N 3027 B 62 2 N 1117 so 4 OZ 180 66 T 290 F 900 E 9) TBA l1S E/ l1S N 18 1N3028B 62 2 N 1218 so 4 PT 2 8) 20 OZ 6 V 8 68 72 20 OZ 8 V 2 68 T 290 F 1000 E 93 TBA SJO 31 1 N 3029 B 62 l N 2218 A so 6 ORR 1 P 62 10 OZ 10 68 T 290 F 1100 E 93 TBA S70 A/ 570 C 31 1 N 3030 B l N 2219 so 6 ORR 2 P 72 1 N 3031 B 62 20 OZ 12 68 T 290 F 1200 E 93 TBA 790 T/790 U 32 2 N 2219 A so 6 ORR l P 72 T 290 F 1300 E 93 TBA 940/950-1 /9S0-2 33 1 N 3032 B 62 72 10 OZ 1S 68 l N 1110 so 6 ORR 4 P T 320 N 200 E 90 TCA 150 T H 1 N 3033· B 62 72 20 OZ 18 68 l N 2211 50 6 ORR 5 P T 320 N 400 E 90 TCA 640 H 1 N 30H B 62 6 SI 1 P 72 20 OZ 22 68 3S 1 N 3035 B 62 l N 1221 A 50 T 320 N 600 E 90 T C A 650 68 20 6 Si l P 72 20 OZ 17 T 320 N 800 E 90 TCA 660 35 1 N 3036 B 62 l N 2222 63 6 51 3 p 72 10 OZ 33 68 T 320 N 1000 E 90 TOA 440 P/HO N 3S 1 N 3037 B l N 2222 A 50 20 OZ 39 68 T 320 N 1100 E 90 TOA 1046 36 1 N 3038 B 63 2 N 2368 so 6 SI 4 P 72 T 320 N 1200 E 90 TOA 1170 S 36 1 N 3039 B 63 6 51 5 p 72 20 OZ 47 69 2 N 2369 50 T 320 N HOO E 90 TU 21 78 1 N 3040 B 63 10 OZ 6 V 8 66 20 OZ 56 69 1 N 2369 A 50 T 320 N 1600 E 90 TU 22 78 1 N 3041 B 63 10 OZ 68 69 2 N 1890 so 10 OZ 8 66 T 320 N 1800 E 90 TU l3 78 1 N 3041 B 63 69 so 10 OZ 10 67 10 OZ 82 1 N 3043 B 63 2 N 1891 T 3SO N 200 E 91 TU H 78 20 OZ 100 69 l N 1904 51 10 OZ 12 67 T 350 N 400 E 91 TU lS 78 1 N 3044 B 63 63 51 10 OZ 15 67 20 OZ 120 69 T 350 N 600 E 91 TU 28 79 1 N 3045 B l N 1904 A 1 N 3046 B 63 51 10 OZ 18 67 10 OZ 150 69 T ) 50 N 800 E 91 TU 29 79 l N 2905 T lSO N 1000 E 91 TU 31 79 1 N 3047 B 63 S1 10 OZ 22 67 10 OZ 180 69 2 N 2905 A T JSO N 1100 E 91 TU l2 79 1 N 3048 B 63 51 10 OZ 17 67 20 PM Ol 81 l N 1906 T JSO N 1200 E 91 TU 33 79 1 N 3049 B 63 20 PM 05 82 T JSO N HOO E T 350 N 1600 E 91 91 TU H TU 35 79 79 1 N 3050 B 1 N 30S1 B 63 63 71 2 N 2906 A l N 1907 l N 1907 A 51 51 51 10 OZ 33 10 OZ 39 10 OZ 47 67 67 67 20 PM 1 10 PM l 82 82 I T 350 N 1800 E 91 TU 38 79 1 N 4001 43 10 OZ 56 67 20 PM 4 81 T 455 N 1600 T 91 TU 39 79 1 N 4001 71 l N 3055 71 H 10 OZ 68 67 20 PM 4 AC 83 T 455 N 1800 T 91 ZTC 33 30 1 N 4003 l N H42 1 N 4004 71 43 10 OZ 82 67 20 MP 6 AC 83 T 4S5 N 2000 T 91 60 2 N 4H7 " 310 T 455 N 2200 T 91 60 1 N 400S 71 43 10 OZ 100 67 20 PM 8 AC 83 " 410 2 N 5490 T 455 N 2400 T 91 (3A723/723 C 23 1 N 4006 71 43 10 OZ 120 67 40 PT l 83 2 N 5492 T 4SS N 1600 T 91 (3A 726 27 1 N 4007 71 67 45 PT 2 83 2 N 5494 43 10 OZ 150 T 600FlOOT 93 (3A 741 /741 H/741 N/ 1 N 4148 57 SO OZ 10 69 2 N 5496 43 10 OZ 180 67 T 600F400T 93 741 J/741 JH/741 JN 23 1 N 4149 S7 81 10 OZ 12 P 67 SO OZ 12 69 T600F600T 93 (3A 7S8 29 1 N 41S1 S7 l PM OS 1 O OZ 1S p\ 67 50 OZ 1S 69 T600 F800T 93 (3AA 14S 26 1 N 41S4 S7 3 PM 1 81 10 OZ 18 P 67 50 OZ 18 69 T 600 F 1000 T 93 '3E SSS/SSS H/SSS N 17 1 N 4446 57 3 PM 2 81 27 1 N 4447 57 81 10 OZ 22 P 67 SO OZ 22 69 T 600 F 1100 T 93 tl E S61 3 PM 4 T 600 F 1200 T 93 (3E S6S 18 1 N 4448 57 10 OZ 17 P 67 50 OZ 27 69 3 PM 6 81 T 600 F 1300 T 93 (> M 301 A/ 301 AN H 1 N 4449 57 67 50 OZ 33 69 3 PM 8 81 10 OZ 33 P T 700 N 1600 T 91 (>M 324 H 1 N 4454 S7 SO OZ n 69 4 OZ 10 66 10 O Z 39 P 67 1 PM OS 81 T 700 N 1800 T 91 t) M 339 2S . 66 10 OZ 47 P 67 SO OZ 47 69 T 700 N 2000 T T 700 N 2200 T 91 91 t) M 381 /382/387 (l M 3189 29 30 1 PM 1 1 PM 2 81 81 4 OZ 12 4 OZ 15 66 66 10 OZ S6 P 10 OZ 68 P 67 67 I SO OZ S6 50 O Z 68 69 69 T 700 N 2400 T 91 fl M 3900 A/3900 8 24 1 PM 4 81 4 OZ 18 69 T 700 N 2600 T TAA 661 E 91 30 (3S M 130 1 N 3016 B 18 61 1 PM 6 „ 81 4 OZ 22 66 66 10 OZ 81 P 10 OZ 100 P 67 67 50 OZ 82 SO OZ 100 69 1 PM 8 81 4 OZ 27 TB 6 N l 94 1 N 3017 B 61 67 50 OZ 120 69 4 OZ J3 66 10 OZ 110 P 2 N 706 49 TB 6 N 3 94 1 N°3018 B 62 66 10 OZ 150 P 67 50 OZ 150 69 2 N 708 49 4 OZ 39 TB 6 N 4 94 1 N 3019 8 61 67 50 OZ 180 69 4 OZ 47 66 10 OZ 180 P TB 6 NS 94 1 N 3020 B 61 l N 918 46 10 PM 05 82 60 PT 2 83 61 2 N 929 39 4 OZ 56 66 ~a 6 N 6 94 1 N 3021 B 1: 1~ LISTA SIMBOLURILOR UTILIZATE LISTA SIMBOLURILOR UTILIZATE SYMBOLS SYMBOLS Ccao Capacitate colector-bază hl Curent invers Col/ettor bose capacitance Reverse current Ctot Capacitate totală Curent continuu d irect (t ir istoare) Toto/ capacitance Forward current (thyristors) Cn Capacitate nominală Curent de vîrf repetit iv în conduqie (tiristoare) Rated capacitance Peak repetitive current (thyristors) F Factor de zgomot ITTH Curent de suprasarcină accidental În conduqie Noise figure (tiristoare) Frecvenţă Non repetitive surge on state peak current (thyristors) Frequency Iz Curent Zener fo Frecvenţă de rezonanţă Zener current Resonance frequency ls Inductanţă serie fQ1 Frecvenţă limită (pentru Q = 1) Series inductance Limit frequency Rezistenţa de izolaţie fr Frecvenţă de tăiere lnsu/ation resistance Cut-off frequency Putere total ă h21E Valoarea staticii a amplificării În curent Total power dissipation DC current gain Rez i stenţa anod-catod Valoarea dinamică a amplificării în curent Anode, cathode resistance Smoli signal current gain Ic Curent de colector Rezistenţa de sarcină Collector current Load resistance Rchi·• Rezistenţa termici joncţ i une-mediu amb iant leso Curent rezidual colector-bază Thermal resistance junction-to-ambient Co/lector cut-off current (open emitter) Rchi-c Rezistenţa termică joncţiune-capsulă Curent mediu redresat în sarcină Thermal resistance junction-to-case Medium load current Rezistenţa diodei în conducţie h Curent de fugă Forward reslstance ( diodes) Leakaie current Curent direct Rezistenţa serie Forward current Series reslstance IFAV Curent mediu În sens direct rz Rezistenţa dinamică a d iodei Zener Averaie forward current Dynamic Zener resistance IFM Curent maxim direct s Sensibilitate (fotodiode) Peak forward current Sensitivity (photodiodes) IFP.M Curent direct maxim repet1t1v T Temperatură Peak forward repetitive current Temperature IFSM Curent maxim direct accidental de suprasarcină T ainb Temperatura mediulu i ambiant Peak forward surge current Ambient temperature Curent de poartă Tan1enta unchiului de pierderi Gate current .,: . Tangent of the loss angle IGT Curent de poartă de amorsare Temperatura ]onqiunii Gote triggering current Junction temperature Io Curent mediu redresat T jmuc Temperatura maximă a joncţ i un i i Mean forward current Maximum junctlon temperoture 14 15 LISTA SIMBOLURILOR UTILIZATE LISTA SIMBOLURILOR UTILIZATE SYMBOLS SYMBOLS Timp de Întîrziere Tensiune inversă maxima accidentală Delay ·time Peak reverse non-repetitive voltage tf Timp de cădere Tensiune inversă maximă de lucru Foii time Peak reverse work voltage ton Timp de intrare în conducţie prin control de poartă Tensiune de vÎrf în stare de conduqie (tiristor) (tiristoare) Peak forward voltage (thyristors) Gate control/ed turn-on time (thyristors) 'z Tensiune Zener tolf Timp de dezamorsare controlată de circuit Zener voltage Circuit control/ed turn-of( time Tensiune de alimentare admisibilă (punţi redresoare) tr Timp de creştere Peak input voltage (rectifier bridges) Rise time Tensiune medie redresată No load DC voltage trr Timp de revenire inversă Valoare eficace a tensiunii medii redresate Reverse recovery time RMS voltage value ts Timp de stocare Tensiune de intrare Storage time Input voltage VsEut Tensiune de saturaţie bază-emitor v. Tensiune nominală Base-emitter saturation voltage Rated voltage Vcso Tensiune maximă colector-bază cu emitorul în go1 wt Tensiune de Ieşire Collector-base voltage with emitter open Output voltage Vcc Tensiune de alimentare :r.vz Coeficientul de temperatură al tensiunii Zener Supply voltage Temperature coeffîcient of Vz Vceo Deviaţia de frecvenţă Tensiune maximă colector-emitor cu baza în gol Collector-emitter voltage with bose open Frequency bandwidth VcEs Tensiune maximă colector-~mitor (emitor scurtcir_ cuitat la bază) Collector-emitter voltage (emitter short-circuited to bose) VEBO Tensiune maximă emitor-bază cu colectorul În gol Emitter-base voltage with co/lector open Tensiune În direct Forward voltage VGT Tensiune de poartă de amorsare Gate trigger voltage VGNT Tensiune de poartă de neamorsare Gate non-trigger voltage Tensiune inversă Reverse voltage Tensiune inversă maximă Maximum reverse voltage Tensiune inversă repetitivă maximă Peak repetitive reverse voltage 16 17 PRODUCĂTOR - HANUFACTURER Intreprinderea de piese radio si semiconductori, Bln•asa Enterprise of radio components and semlconductors, Blneasa 32, Erou Iancu Nicolae Street Telefon : 33.'40.50; Telex: 11 .203 1.P.R.~.R. n 996 BUCHAREST - ROMANIA l. P.R.S. Băneasa produce ~i vă oferă: l. P.R.S. Bfoeasa produce and offer: La cererea beneficiarilor, l.P.R.S. poate asigura componente electro- nice cu parametri sortaţi şi condiţi i tehnice diferite de cele din catalog. On the enduser's request l.P.R.S. can supply electronic components with selected parameters and/or various technical conditions not included in our catalo1ue. EXPORTATOR -EXPORTER Elec:tronum l'. " FOREIGN TRADE STATE COHPANY 33 Al. Sahia Street sector l , telex: 11 .S-47, 11.SB.of 70101 BUCHAREST - ROMANIA 18 CIRCUITE INTEGRATE LOGICE DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS Patru operatori Sl-NU cu cite 2 intrări Quadruple 2-lnput NANO Gates Patru operatori SAU-NU cu cite 2 i ntrări Quadruple 2-lnput NOR Gates Patru operatori Sl-NU cu cite 2 intrări, ie,irl cu colector în gol (5,5 V) Quadruple 2-lnput NANO Gates with Open-Callectar Output (5,5 V) Şase inversoare Hex lnverters Şase inversoare, ieşiri C\I colector in gol (5 ,5 V) Hex lnverters with Open-Co/lector Output (5,5 V) --~ E Şase inversoare de putere, i eşiri cu colector în gol \30 V) Hex Power lnverters with Open-Collector Output (30 V) C::! 407 E Şase operatori de putere , ieşiri cu colector în gol (30 V) Hex Power Gote$ with Open-Co/lector Output (30 V) Patru operatori SI cu cite 2 Intrări Quadruple 2-lnput AND Gates Patru operatori SI cu cite 2 intrări, i eşiri cu colec· tor în gol (5 ,5 V) Quadruple 2-lnput AND Gates with Open-Collector Output (5,5 V) :.:;! 410 E Trei operatori Sl-NU cu cite 3 intrări Triple 3-lnput NAND Gates 3-3 411 HE Trei operatori SI cu cite 3 intrări Triple 3-lnput AND Gates Dol operatori Sl-NU TRIGER SCHMITT cu cite 4 intrări Dual 4-/nput NAND SCHMITT TRIGGERS C>B 416 E Şase inversoare de putere, ieşiri cu colector în gol (15 V) Hex Power lnverters with Open-Collector Output (15 V) C9B 417 E Şase operatori de putere, ieşiri cu colector în gol (15 V) Hex Power Gates with Open-Collector Output (15 V) O S 420 E Doi operatori Sl-NU cu cite 4 intrări Dual 4-lnput NAND Gates CJB 430 E Operator Sl-NU cu 8 intrări 8-lnput NAND Gates CDB 432 E Patru operatori SAU cu cite 2 intrări Quad 2-lnput OR Gates CDB +40 E Doi operatori St- NU de putere cu cite 4 intrări Dual 4-lnput NAND Power Gates CDB +42 E Decodificator BCD-zecimal BCD-to-Decimal Decoder CDB 450 E Doi operatori Sl-SAU-NU cu cite 2 x 2 i ntrări (unu I expandabil) Expandable Dual 2-Wide 2-lnput AND-OR-INVERT Gates CDB 451 E Doi operatori Sl-SAU-NU cu cite 2 X 2 intrări Dual 2-Wide 2-lnput AND-OR-INVERT Gates ~1 CIRCUITE INTEGRATE LOGICE CIRCUITE INTEGRATE LINIARE INDUSTRIALE DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS INDUSTRIAL USE LINEAR INTEGRA TED C/RCUITS 1. REGULATOARE DE TENSIUNE CDB 453 E Operator expandabil Sl-SAU-NU cu '4 X 2 intrări Expandable 4-Wide 2-lnput AND-OR-INVERT Gates VOlTAGE REGULATORS CDB 454 E Operator Sl-SAU-N U cu '4 v 2 intrări CDB 460 E 4-Wide 2-lnput AND-OR-INVERT Gates Două expandere cu cite 4 i ntrări ~A I 723 /~A 723 c Dual 4-lnput Exponders Orcultul inte1rat ~A 723 este un The inteiroted circuit ~A 723 is a CDB 472 E Bistabil J-K master slave stabilizator de tensiune ce con- voi taie reiulator . lt has the follow- J-K Master-Slave Flip-Flop ţin e următoarele etaje: tensiunea lnt stoies.: temperoture compen- CDB 473 E Două . bistabile J-K master-slave de referinţă compensată termic, sated reference voltoge, error am- Dual J-K Master-Slave Flip-Flop amplificator de eroare, tran:z:lstor pi/fier, series pass transistor and CDB 47'4 E Două bistabile tip D cu basculare pe front re1ulator serie şi circuitul de output cprrent /;miting circuit. Dual D-Type Edge-Triggered Flip-Flop limitare a curentului de le,lre . · lt is intended for positi'fe or nerative CDB 475 E Patru bistabili tip D &te recomandat pentru reall- supp/ies as a series, şhunt, switch- Quad D-Fllp-Flop :z:area surselor stabillzate de pola- inr or /foating regulator. CDB 476 E Doui bistabile JK STAPIN-SCLAV ritate pozitivi sau negativi, avtnd M,," •·1:.,r.r: !Cf,l , Dual JK M,ASTEF-SLAVE Flip-Flop regulatorul serie sau paralel, în CDB 481 E Memor ie. .~eşte/scrie de 16 biţi comutare sau flotant. .l.:. \ - 16-Bit Rqndom-Access Memory • j ~ "" Bibliu~o..:.ă (.:.-.:·_ ~::.,ne.lu CDB '48) E Sumator c~plet de '4 biţi 4-Bit 8inory Fu/I Adder Capsula/Case: TO 116 (Fig . 1) CDB '486 E Patru operatori SAU-EXCLUSIV cu cite 2 · intrări Quadruple 2-lnput EXCLUSIV-OR Gates CDB 490 E Numărător decad ic 2. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE Decade Counter OPERATIONAL AMPLIFIERS CDB '492 E Numărător divizor prin 12 Divide-by-Twelve Counter CDB '493 E Numărător binar de 4 biţi ~A 741 /~A 741 H /~A 741 N/~A 741 J 4-Bit 8inory Counter ~A 741 JH/~A 741 JN CQB 495 E Registru de deplasare dreapta/stînga de 4 biţi 4-8it Right/Left Shift lt.egister Circvitul ()A 7-41 este un ampli- The ()A 741 is a monolithic opero- CDB '4121 E Monostabil ficator operaţional monolitic cu tional am~lifier with a wide ranre Monostable o pmi largi de aplicaţii tn cir- of analog aj>plications. lts characte· CDB '4151 E Multiplexor 8 în 1 cvitele analogice . El se caracte- ristlcs are: 8-Line to 1-Line Data Selector/Multiplexer rizeul prin : - hlgh input voltage ronge Două multiplexoare '4 în 1 - pma largi pentru tensiunile - no latch-up CDB '4153 E Dual 4-Line to 1-Line Dota Selectors/ Multiplexers de Intrare - protecţie interni la „a&ăţare" - high voltoie gain CDB 4157 E Patru multiplexoare 2 în 1 Oatch-up) - internai short-cireuit protection Quad 2-Line to 1-Line Data Selectors/Multiplexers - ciJtig în tensiune ridicat - internai frequency compensotion. CDB 4192 E Numărător decadic sincron reversibil (2 intrări - protecţie interni la scurt-circuit These choracteristics a/lows the use de tact) - compensare cu frecvenţa, of the circuit as integrator, summing Synchronous Up/Down Decade Counter (Two Clock Interni· amplifier and general feedback Lines) A.ceste caracteristici fac posibili tili:z:area circuitului ca integra- applications . The frequen cy compen- CDB '4193 E Numărător binar de 4 biţi sincron reversibil sation network (6 d8/octave ) pro- tOr, sumator, în 1eneral aplicaţii (două intrări de tact) vides the stability necessory for ev reacţie. Circuitul de compen- Synchronous Up/Down 4-Bit 8inary Counter (Two closed loop use. sare cu frecvenţa (6 dB/octavl) Clock Li nes) ~ i ui1uri stabilitatea necesari uti- CDB 837 E Şase receptoare de bus/trigere ' Sch mitt Uz.irii în bucii înch isă. Hex Bus Receiver/Schmitt Trigger CDB 838 E Patru emiţătoare-recept oare de bus (colector în Capsub./Case: ()A 741 -TO 116 (Fi1. 1) ~A 741 N - MP 48 (fig. 2) gol) Quad Bus Transceiver/Open Collector ~A 7<41 H - TO 99 (Fie. 3) 22 CIRCUITE INTEGRATE LINIARE INDUSTRIALE CIRCUITE INTEGRATE LINIARE INDUSTRIALE INDUSTRIAL USE LINEAR INTEGRA TED CIRCUITS INDUSTRIAL USE LINEAR INTE~RATED CIRCUITS Cu j3M 3900 se pot construi: ompli(iers, AC omplifiers , voltoge a:nplificatoare de curent continuu, regulotors , RC active filters, wove ~M 301 A/~M 301 AN L'Tlplificatoare de curent alternativ, generotors etc . ttabilizatoare de tensiune , filtre The circuit is ovoiloble in two Circuitul inteirat (3M 301 A este The integroted circuit (3M 301 A active RC, generatoare de undă versions morked A or B dependint un amplificator operaţional de uz is o general purpose operotionol etc. an the maximum ollowoble supply 1eneral avind performanţe supe- omplifier with improved perfor- :>upă tensiunea de alimentare voltoge. rioare lui (3A J.41. monce over j3A 741. <"RXim admisă. circu itu l poate lt hos supplementory feotures over r livrat în două variante, marcate Faţl de caracteristicile lu i 7"41. the 741. like: cu literele A respectiv B. are în plus următoarele: - slew rate of 10 V/µs os o summlng - slew rate de 10 V/µs ca sumator ampli fier · - compensare în frecvenţă ex- - externai frequency compen- Capsula/ Cose: TO 116 (Fig. 1) ternă sotion Echinlent/Equivolent: LM 301 A - National Semiconductor 3. COMPARATOARE DE TENSJUNC: Capsula/ Cose: (3M 301A-TO116 (Fig. 1) (3M 301 AN - MP "48(Fig. 2) VOLTAGE COMPARATOR$ CLB 2711 EC/ ST 72 Cil ~M 324 C ircuitul integrat j3M 32"4 con- The (3M 314 integroted circuit C ircuitul integrat CLB 2711 con- The CLB 1711 integroted circuit con- sistă din patru amplificatoare ope- consists of faur independent, high ţ i ne două comparatoare de ten- toins two voltoge comporotors with raţionale independente . cu cişti& goln, internolly frequency com- siune cu intrări d iferenţ i ale sepa- separate differentiol inputs, o com- mare, compensate în frecvenţă pensoted operotionol omplifiers. rate , o ieşire comună şi strobare mon output ond provision for stroblnt intern. Advontoges : ndependend. pentru fiecare parte. eoch side independently. Avantaje : - eliminotes need for dual sup- - elimină sursele duble plies - compatibile cu toate formele - compotible wlth oii forms of Capsula/ Cose: CLB 2711 EC - TO 116 (Fig. 1) de lo1ică logic - face posibilă alimentarea la - mokes possible bottery operotion ST 72 Cii - TO 100 (Fig . 4) baterie Echinlent/Equivolent: LM 32"4 - National Semiconductor ~M 339 Capsula/Cose: TO 116 (Fig . 1) Circuitul integrat r~ M 339 con- The (3 M 339 consists of faur inde- s i stă din patru comparatoare de pendent precision voltoge com po- ~M 3900 A/ ~M 3900 B tensiune de precizie. rotors . Ap li caţii: Applicotions: Circuitul inte1rat (3M 3900 con- The lntegroted circuit ('M 3900 consists of faur independent, dual - comparatoare de limite ţine patru amplificatoare Indepen- - limit comporotors - convertoare A/O simple dente, avind cite două intrări input ampli fiers .,.;hich were desig- - simple A/D converters - 1eneratoare de impulsuri fiecare , care au fost proiectate ned to opero te f rom o single power - puise generotors - interfeţe cu TTL şi CMOS si lucreze cu o singură sursă de supply voltoge ond to provide o - interfoces with TTL ond CMOS alimentare şi să permită o variaţie lorge output vditore swing. mare a tensiunii de ieşire. Th~e omp/lfiers make use of o Aceste amplificatoare folosesc o 01lindă de curent pentru a rea- current mirror to ochieve the non- Echivalent/Equivo/ent : LM 339 - National Semiconductor lin funcţia de intrare neinver- invertint input functlon . soare. A.pplicotion oreos include : DC Capsula/ Cose: TO 116 (Fig. 1) 25 CIRCUITE INTEGRATE LINIARE INDUSTRIALE CIRCUITE INTEGRATE LINIARE INDUSTRIALE INDUSTRIAL USE LINEAR INTEGRATED CIRCUITS INDUSTRIAL USE LINEAR INTEGRA TED CIRCUITS ~A 726 4. CONVERTOARE DIGITAL-ANALOGICE DIGITAL TO ANALOG CONVERTERS _,.. n6 este 1.1n circuit mono· The (3A 726 ls a monolithic inte· -:.<, realizat în tehnologie planar· grated circuit, manufactured in epi- ~uxial i . fn acelaşi cristal de taxial planor technology . On the DAC 08 ::iu se găseşte o arie de tran· some silicon chip there are an =~e . indepe n dentă şi acce· independent traMistor area, acce- ă din exterior, alături de un sible (rom outwarJ, and an active Circuitul integrat DAC 08 este The DAC 08 is a monolithic 8 bit a:""C11 t de termostat. Aces ca men· temperature regulator (thermostat ). un convertor digital-analogic rapid, high speed current output digital-to· e temperatura cipului con stantă, This termostat holds the chip at a cu ieşire de curent. DAC 08 are analog converter (DAC) featuring - _ fe rent de variaţi ile tempera· constant temperature over a wide i eşiri de curent complementare , typical settling times of 10<1ns : c~ ambiante . Aplicaţiile circui· rogne of ambient t~mperotur es. lt care permit tensiuni diferenţiale The DAC 08 a/so features high - ~ SA 726 se referă în principal is intended for use in opplications de ieşire de 20 Vv.v cu simple compliance complementary current sel'emele pentru care tempera· where the transistor temperature is sarcini rezistive. outputs to allow differential output tranzistoarelor este critică. criticai. Ajustarea tensiunii Vtc permite voltages of 20 Vp-1> with simple interfaţarea directă cu orice fami· resistor loads. lle logică. Simple adjustment of the VLC pin C1psula/Cose: TO 116 (Fig. 1) potential al/ows direct interface to a/I logic (amilies. ~E 555/~ E 555 H/~E 555 N Capsula/ Case: MP 117 (Fig. 5) : 5SS este un circuit integrat The () E. 555 is a monolithic integra· ol t ic care generead înt îr- ted timer for generoting triggered de t imp declanşate sau osci- time delays or oscillation. Addi- 5. INDUSTRIALE bere. Este prevăzut cu ter- tional terminals ore pr'.ivided for e auxiliare de control pentru trigger or reset. INDUSTRIAL _11Cti e „ declanşa re " şi „aducere The output con source or sink up ruo" . Ieşirea poate debita sau to 200 mA or drive TTL circuits. csoroi curenţi de 200 mA. De ~AA 145 zsz-enea, acest circuit poate ~- da circui te TTL. Circu11 •' integrat (3AA 145 este The integrated circuit (3AA 1-45 is destina• utilizării în scheme de Ca::isu a Case : [3 E 555- TO 116 (Fig. 1) (3E 555 H -TO 99 (Fig . 3) intended for phase control of thyris- comand· în fază a aprinderii tiri· (3E 555 N - MP 48 (fig. 2) tor firing. stoarelo . C ircuit u are următoarele caracte· The circuit has the following (ea· ristici : tures: - i eş ir • separate pentru cele două - separate puise outputs for the sem 1alte rnanţe ale semnalului two half·cycles of the sync de sincronizare. - lăţimea impulsului de ieşire signal ajusta.bilă continuu - output pulse-width freely adjus· - intrare de comandă a fazei, table de impedanţă ridicată ~E 561 - high-impedance phase shift input - posibilitatea blocării impulsului de ieşire - output puise blocking possible ; 561 este un circuit integrat The [3E. 561 is a monolithic integra- - imunitate la zgomot - noise immunity t cu calare pe fază, proiec- ted phase locked loop designed - unghiul de fază variabil între o şi 180° - phase angle va;iable (rom 0° = să lucreze la frecvenţe p î nă l3 MHz. to operate at frecquen cies up to 30 MHz. to 1800 1 - simetrie mai bună de 3v între - ~ tu l poate fi folosit în sisteme The circuit moy be used in commu· impulsurile corespunzătoare - less that JO puise symmetry ~ co:nuni caţi i. nication systems. celor două semlalternanţe . between two half·cyc/es Capsula/Cose : TO 116 (Fig. 1) Capsula/ Case: CB 145 (Fig . 6) 27 26 CIRCUITE INTEGRATE LINIARE INDUSTRIALE CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU INDUSTRIAL USE LINEAR INTEGRATED CIRCUITS AUDIO, RADIO ŞI TV LINEAR INTEGRATED CIRCUITS FOR AUDIO, RADIO ANO TV ~ E 565 ~E 565 este un circuit integrat The ~E 565 is a monolithic inte- monolitic cu calare pe fază. grated phase locked loop. ~A 758 Circuitul conţine : The circuit comprises: - un oscilator controlat în ten- - a stable, linear voltage control/ed siune (OCT) stabil, a cărui frec- oscilator (VCO) for FM demo- ·c:: tul ~A 758 este un circuit The (3A 758 is a monolithic rnte· venţă depinde liniar de tensiunea du/ation. • nt monolitic care realizează grated circuit for FM stereo demo- de comandă pentru demodularea - a phase detector (PD) with z=ocaru semnalului multiplex dulotion in stereo receivers. ~n!'O în radioreceptoarele ste- lt uses phose locked loop techn1ques semnalelor MF good carrier suppression. fC'"e!Ofo ... ke cu modulaţie de frec- to regenerate the 38 kHz subcorrier. - un detector de fază (DF) dublu The characteristics of the closed echilibrat, care oferă o bună supri- loop system-ban<tw.idth, reponse a. The cirwit includes the following mare a purtătoarei . - .n. zeaz.ă un circuit cu calare stages: speed, coptu re time-moy be odjusted Cuacteristicile sistemului în buclă =oe !:ui (circuit PLL) pentru refa· - buit-in voltoge regulator with an externo/ copocitor and închi să şi anume lă rgimea de resistor. mm subpurd.toarei de 38 kHz. - PLL circuit to regenerate sub- bandă, viteza de răspuns, timpul The circuit is used in vorious com- ·o: tul cuprinde următoarele carrier cc:a e . - synchronous detector of pilot sig- de sincronizare pot fi reglate cu municotion ond data transmission ajutorul unei capacităţi .şi a unei - subilizator de tensiune încor- nal amplitude systems. rezistenţe exterioare circuitului. ;;iont - switch stereo/monaurol Circuitul este utilizat în nume- - c.•cu' t PLL pentru refacerea - stereo demodulator s.::ipurt.ătoare i The meon stereo channel seporotion roase tipuri de sisteme de comu- - ~ector sincron al amplitu- is .ţO d8 . The switching stereo/ nicaţi i şi în transmisia de date. :: .., semnalului pilot monourol is automoticolly realized. Capsula/Case: TO 116 (Fig. 1) - co uutor de mod stereo/ mono The stereo decoder with (3A 758 - ce odulator stereo uses no coi/s, al/ tuning is perfor· Se;;a.'"'ill'ea medie a canalelor este med with a single potentiometer. u ~ dB . Comutarea mono/ ~SM 230 ~ se reali zează automat. De- c:ieon;I stereo realizat cu ~A 758 • •;z:uzi i nductanţe. Singurul Circuitul integrat monolitic ~ SM The monolithic integrated circuit a de frecvenţă se realizează 230 este un senzor magnetic cu (3SM 230 is o magnetic sensor with a1„toru l unui potenţiometru . traductor Hali încorporat, desti- built-in Hol/ device intended for nat instalaţiilor automate, unde use in automatic equipments as este utilizat ca traductor de pozi- position transducer for moving pie- Capsula/ Case : MP 117 (fig. 5) ţie pentru piese în m işcare . Pe ces. lt is necessary that a magnetic piesa în mişcare este necesar să (ield source (permanent magnet or fie montată solidar o sursă de electromagnet) is find on the cîmp magnetic (magnet perma- moving piece . nen t sau electromagnet). ~ M 381, ~M 382, ~M 387 Capsula/ Cose : SOT 32 (Fig. 9) :-c.. te e integrate fj M 381, ~ M The [)M 381, ~M 382, ~ M 387 '.:.M 387 sînt o serie de pre- series ore dual low noise preompli- -- 'icatoare duale de zgomot fiers , intented to use in magnetic care se pot utiliza ca pre- pick-up preamplifier. magnetic TBA 315 E/ TBA 315 N - "catoare pentru doză mag- head preamplifier, microphone pre- ci pentru cap de redare amplifier. Ci rcuitul integrat TBA 315 este The integrated circuit T8A 315 is ~ · c, pentru microfon. [)M 382 contains an integrated un temporizator integrat de o power integroted timer, for outo- lE1 conţine o reţea de reaqie resistive network for negative feed putere, pentru aplicaţii auto . motive use . .-i rez i stivă integrată. back . El poate funcţiona la tensiuni lt con use supply voltages of 12 or de alimentare de 12 sau 24 V, 2-ţ V, function of' the type of the Echivalente/ Equiva/ents : LM 381, LM 382 , LM 387 - funcţie de tipul autovehiculului. auto. Nation al Semiconductor Capsule/ Case : [)M 381, f)M 382 - TO 116 (Fig. 1) Capsula/ Cose : TBA 315 E-TO 116 (Fig. 1) TBA 315 N - MP 48 (Fig. 2) ~ M 387 - MP 48 (Fig. 2) CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU AUDIO, RADIO SI TV AUDIO, RADIO ŞI TV LINEAR INTEGRÂTED CIRCUITS FOR AUDIO, LINEAR INTEGRATED CIRCUITS FOR AUDIO, RADIO AND TV RADIO .ANO TV TBA 120 U ~M 3189 Circuitul integrat ~M 3189 a The ~M 3189 was designed to C.rcurtu l in tegrat TBA 120 U The integrated circuit TBA 120 el fost proiectat pentru a îndeplini provide al/ the major functions ene destinat realizării căii sunet is intended far the sound channU toate funcţiile importante dintr-un requîred for FM-HI-Fi receivers. ·-receptoarele de tP.leviziune (MF) in TV receivers (FM) . receptor MF-clasă Hi-Fi. Advantages : arcuitul încorporează următoarele The circuit comprises the following Avantaje: - excel/ent sensitivity (12 µV) ettje: stages: - sensibilitate excelentă (12 µV) - low distorsîon ((), 1%) - amplificator-limitator FI - IF amplifier-limiter - distorsiuni reduse (0,1%) - mute circuit - demod ulator MF simetric cu - balanced coincidence FM detector - circuit pentru muting - output for „on CHANNEL" indi- coincid enţă - voltage regulator - ieşire pentru indicator cator - stabilizator de tensiune - AF preamplifier „on channel" - output for levei metcr - ;iream plificator AF - DC control of sound leve/ - i eşire pentru indicator de nivel. - etaj de co mandă a volumului - constant levei AF output for sunetul ui în c.c. video recorder - " eşir e AF de nivel constant - additicnal sound input for multî- Capsula/Case : MP 117 (Fig . 5) pentru înregistrator video standard TV receiver or video - intrare AF auxiliară pentru play-back unit. receptor TV multistandard sau This circuit uses LC filters. ector video. ZTC 33 -.1:e2rtă variantă de circuit uti- zeuă fi ltre LC . Circuitul integrat monolitic ZTC The monolithic integrated circuit 33 este un stabilizator de ten- ZTC 33 produces a constant tem- Capsu!a/Case: TO 116 (Fig. 1) siune fixă, conceput pentru a perature-compensated voltage par- fi folosit la alimentarea diodelor ticularly suitable for supplying the varicap din montajele de înaltă capacitance diodes in VHF and şi foarte înaltă frecvenţă din apa- UHF stages af radio and TV recei- TBA 530 ratura radio şi TV. vers. Grcuitul integrat TBA 530 este The integrated circuit TBA 530 îs Capsula/Casc: DO 35 (Fig . 18) ::-o.ectac pentru receptoare TV desîgned for co/our TV. /t încludes coiOI'. El include preamplificatoare preamplifiers for the signals R- Y, x-tru semnalele R-Y, B-Y, G-Y B-Y, G-Y and Y, and gives at s Y şi dă la ieşire semnalele the output the sîgna/s R, G, 8. G, B. TAA 661 E Capsula/Case: MP 117 (Fig . 5) TAA 661 E este un circuit inte- The TAA 661-E is a monolithic grat monolitic încapsulat în plastic. integrated circuit encapsulated in a Este un circuit special proiectat dual-in-line package. pentru echiparea canalelor sunet lt is a ci reuit intended for use in TBA 570 A /TBA 570 C TV şi cuprind e următoarele etaje : TV sound channel and comprises - amplificator -li mltator FI de the following stages: ... 570 A şi T BA 570 C sînt The TBA 570 A and TBA 570 C bandă largă - wideband IF ampljfier-limiter -• ~e integrate monolitice desti- are monolîthîc integrated cîrcuîts - demodulator MF - FM demodulator jt!ntru uti lizarea în radio- intended fo r usc în portable , car- - etaj de ieşire - output stage i;ecr--~e MA/MF portabile , auto and stationary AM/FM-radioreceivers. - stabilizator - voltage regulator The cîrcuits comprise the following ln cazul acestui circuit, alini erea For this device , demodulator tunîng stagcs: demodulatorului se face printr-o requi res a single ' coii . - fo r AM-operction (long, medium, s i ngură bobină .. - ::ic=:n. recepţia MA (unde and short waves ) • :nedi i şi sc urte) - local oscîllator - csc- uor local - mixer Caps ula/Case: TO 116 ( Fig. 1) i"les tecător (mixe_r 30 31 CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU AUDIO, RADIO SI TV AUDIO, RADIO ŞI TV LINEAR INTEGRATED CIRCUITS FOR AUDIO, LINEAR INTEGRA TED CIRCUITS FOR AUDIO , RADIO AND TV RADIO ANO TV - amplificator FI - IF amplifier TBA 940/TBA 950-1 /TBA 950-2 - detector MA - AM detector - preamplificator audio - audia preamplifier - etaj de ieşire (driver) - output stage (driver) - pentru recepţia MF (unde - for FM-operotion --a.A 9'40, TBA 950-1 şi TBA 950-2 The TBA 940, TBA 950-1 and T8A ultrascurte) - IF amplifier:limiter s"-t circuite integrate monoii- 950-2 ore monalithic integrated cir- - amplificator-limitator FI - voltoge regulator ce destinate prelucrării sincroim- cuits intended for sync p uise pro- - stabilizator de tensiune - audio preamplifier ; surilor dintr-un receptor de cessing in TV recei vers. The com- - preamplificator audio - output stage (drivet) :.e ev' ziune. Circuitul integrat pri- positive video signal is applied at - etaj de ieşire (driver) The circuits TBA 570 A and ~e semnalul video complex input and the integrated circuit Circuitele TBA 570 A şi TBA TBA 570 C con drive directly o generează impulsurile de atac delivers the sync pulses for trigger- 570 C pot ataca direct un etaj class B final stage. ea:sue etajelor finale de linii ing line and (rame output stages. final clasă B. -e cadre. The integrated circuit comprises the a -n11tele încorporează următoa (a//owing (unctions: Capsula/Cose : MP 117 (Fig. 5) e funcţii: - sync puise separation (rom com- - sepuuea sincroimpulsuriior din posite video signal semnalul vid eo complex - separation of (rame sync pulses - separarea sincroimpulsuriior de (rom .line sync pulses adre de cele de linii - line oscillator - mei ator de linii - time prepcuation of output line TBA 790 T/TBA 790 U - lormuea în durată a impulsului puise; f8A 940 delivers negative ee itlire li nii: TBA 940 gene- puise for thyristor line output -cui un impuls negativ pentru stage; TBA 950 delivers positive Circuitul integrat TBA 790 este The TBA 790 is on integrated mono- baleiaj cu tiristoare : TBA puise (or transistor line oufliut un amplificator de putere care lithic power AF amplifier intended 950 generează un impu ls pozi- stage; TBA 950 (oii into two l i.crează în gama frecvenţelor for usc in radio receivers or for • .,. pentru un baleiaj cu tran- c/asses depending on puise width . audio şi este proiectat pentru the sound channel in TV receivers. :::.noare ; TBA 950 este impăr - noise suppression echiparea radioreceptoarelor sau lt is particularly recommended as :. t "n două clase după durata - built-in shunt voltoge regulator a unui canal sunet TV . amplifier for piezoelectric cortridge -pulsu lui de ieşire. Este recomandat pentru a consti· phonographs. - :: oe de proteeţie a sincroni- tu i amplificatorul unui picup, cu A buit-in regulator enobles the cir- :zira în prezenţa perturbaţiilor doză piezoelectrică. cuit to perform over Jorge supt>ly - suoiliz:ator paralel de tensiune TBA 790 poate lucra într-o gamă voltage ond temperoture ranges. • rporat. l argă de tensiuni de alimentare lts principal characteristics are: şi temperatură. - a low standby current not depen- Se remarcă Fin următoarele dent of supply voltoge caracteristici : - the output voltaic swing is about - curent de repaus mic şi bine the supply voltage Capsula/Case: TO 116 (Fig. 1) controlat faţă de alimentare - the optimum load resistonce is - etaju I de putere este astfel B O) construit incit excursia ten- - seif centered biosing siunii de ieşire este aproape de - high input impedance tensiunea de al imentare. (typ SO M 11) - rezistenţa de sarcină optimă este 8 U - un circuit de autocentraj care menţine În limite restrinse ten- siunea de ieşire - im pedanţă de intrare foarte mare (tipic SO M n) CapsulajCase: TBA 790 T - CB 155 (Fig. 7) TBA 790 U - CB 109 A (Fig. 8) 33 32 \- „ CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU AUDIO, RADIO ŞI TV CIRCUITE INT~GRATE LINIARE PENTRU LINEAR. INTEGRATED CIRCUITS FOR AUDIO, AUDIO, RADIO ŞI TV RADIO ANO TV LINEAR INTEGRATED CJRCUITS FOR AUDIO , RADIO ANO TV TCA 150 T TCA 650 Circuitul integrat TCA 150 este The TCA 150 is an integrated mono- un amplificator de putere care lithic power AF amplifier intended lucrează în gama frecvenţelor audio for use in radio receivers or for --o.: -tul TCA 650 este destinat The integrated circuit TCA 650 şi este proiectat pentru echiparea the sound channel in TV receivers. ulării sincrone a semnalelor is intended for sincron demodula- radioreceptoarelor sau a unui canal A built-in regulator enables the ~ cromin anţă în decodoarele de tion of chrominance signals in sunet TV . circuit to perform · over large supply ~e PAL/ SECAM. colour decader for PAL/SECAM TCA 150 poate Iucra într-o gamă voltage and temperature ranges. =....-·ne comutatorul PAL şi receivers. largă de tensiuni de alimentare lts principal characteristics are : SECAM, circuitul de separare a lt contains PAL and SECAM switch, şi temperatură . - a low stordby current not depen- efor de crominanţă. demo- separation circuit for chrominance Se remarcă prin următoarele carac- dent of supply voltage ~el e MA/ MF şi selectorul signols, AM/FM demodulators and teristici : - the output voltage swing is obout !:--cAM PAL. selector SECAM/PAL. - curent de repaus mi!: şi bine the supply voltage controlat faţă de alimentare - the optimum· load resistance is 40 Capsula/Cose : MP 117 (Fig. 5) - etajul de putere este astfel - seif centered biasing construit incit ~xcursia ten- - high input impedance (typ 50 MU ) s iunii de ·i eşire este aproape - therm<ll protection : ' I ~ ) \ t~~ y de ter:isiunea de alimentarF - rezistenţa de sarcină optimă TCA 66i:i~'!.u .c,:,a 1 ( ~-on;- 'a este 4 n - un circuit de autocentraj care menţine Î n limi te restrînse ten- :n. t.il TCA 660 este destinat The integrated circuit TCA 660 is siunea continuă de ieşir e ;e:z:! Clor de strălucire, contrast intented for brightness, contrast - impedanţă de intrare foarte Qtwraţi e d in decodoarele de ond saturation odjustments in colour mari~ (tipic 50 M n) e ale receptoarelor TV color decoders of PAL/SECAM receivers. - proteqie termică _.::C>.H sau PAL. Capsula/Cose: CB 155 (Fig. 7) Capsul a/Cose : MP 117 (Fig. S) TCA 640 TDA 440 P/ TDA 440 N Circuitu l integrat TCA 640 este The integrated ci reuit TCA 640 is un amplificator de cromina nţ ă a chrominance omplifier which in- care incl ude un „ki ller" de cu- cludes o colour killer, 7 ,8 KHz ~A +40 este un circuit integrat The TDA 440 is a monolith ic inte· loare , flip-flop la 7,8 KHz, ci rcuit (Tip-flop, identification circuit tlc destinat blocului FI al grated circuit for the IF-unit of ~~el or TV alb-negru sau monochrome or colour television de identificare SECAM, circuite SECAM, switching circuits for burst de co mutare pentru identificarea goting (Pol ) and identification sig- =kir-. recei vers. - :'a:. twl incorpo rează următoa The circuit comprises thc following semnalulu i SECAM. comutator nal SECAM, system switch SECAM/ eu· e : stoges : SECAM/PAL. PAL. j 5 cator FI controlat în - gain control/ed IF ampli fier ~ - synchronous demodulator Capsula/Cose : MP 11 7 (fig. S) :-odulator s incr o n - preamplifier with positive and -;ilificator cu ieşi re video negative video signal output ;:c;:.• vă ' i video negativă - preamplifier with adjustable ·ficator cu prag regla- threshold for tuner AGC. The ~entru comanda RAA a TDA 440 N is intended for the ea:orului de canale. TDA control of a npn RF amplifier .u:. este destinat comenzii in the tuner ; the TDA 440 P «::carelor de canale ech i- fo r the control of a pnp am- c amplificator RF· de tip pli fier. 34 35 CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PENTRU AUDIO, RADIO ŞI TV LINEAR INTEGRATED CIRCUITS FOR AUDIO, RADIO AND TV npn iar TDA 440 P comenzii - gote circuit for goin control of selectoarelor de canale echi- the two regulator stoges of IF pate cu amplificator RF de ampli fier tip pnp - built-in shunt voltoge regulator - circuit poartă pentru comanda cîşt lgului celor două etaje cu cîştig reglabil ale amplificato- rului FI - stabilizator paralel de tensiune incorporat Capsula/Case : MP 117 (Fig. S) TDA 1046 Circuitul integrat TDA 1046 se The ·integroted circuit TDA 1046 poate utiliza în radio-receptoare can be used in Hi-Fi AM receivers, for AM-Hi-Fi· în domeniul 100 KHz - the frequency range 100 KHz - 30 MHz. 30 MHz. Conţine amplificator RF, mixer , lt contains RF amplifier, mixer• oscilator, amplificator FI, demo- oscillator, IF amplifier, demodulator , dulator, FTJ şi amplificator pentru LPF and field VU-meter amplifier. indicator de cîmp. Capsula/Case: MP 117 (Fig . S) TDA 1170 S TDA 1170 S este un circuit inte- TDA 1170 S ls an integrated circuit grat proiectat ca sistem de deflexie designed os a TV vertical de(Tection verticală în televizoare. system for use in large and small Funcţ i i screen TV sets . - oscilator Features - generator de tensiune liniar - oscillator variabilă - voltage ramp generator - amplificator de putere - high power gain amplifier - generator de Impulsuri de în- - (Tyback generator toarcere (flyback) Capsula/Case : CB 1 SS (Fig. 7) SAS 560 S/SAS 570 S Aceste circuite Integrate reali· These integrated circuits are touch- zează funcţia de comutator sen· control switches (Oi program selec· zorial pentru selecţionarea pro- tion in radio and TV receivers. gramelor în receptoarele radio ş i TV . Capsula/ Case : MP 117 (Fig . S) 36 „ I RANZIS I OARC CU SILICIU PLANAR EPITAXIALE SILICON PLAN AR Lf>ITAXIAL I RANSISTORS J OASĂ FRECVENŢĂ, MICĂ PUTERE/LOW FREQUENCY, LOW POWER NPN Valori limid absolute/Maximum rotinis Caracteristici elcctrice/Etectrîcal charocteristics Tip/ Type Vceo (V) I Yeso (V) I (mA) 1 c I (mW) P•o• \ ri (0 C) Ycesai/'c (V) I {mA) I h11 e (h21 E)/lc/Y CE I (mA) I (V) ) ic = f1rOm>. I (dB) I F/f (kHZ) I Capsula Case Fi g. (MHz) BC 107 '45 6 100 300 175 0,6 100 125-;- 500 2 5 300 10 1 T0-18 10 BC 108 20 5 100 300 175 0,6 100 125 -;- 900 1 2 5 300 10 1 T0-18 10 BC 109 20 5 100 300 175 0,6 100 240- 900 2 5 300 '4 0,03-:-15 T0-18 10 BC 170 20 5 100 300 150 0,4 30 35 -:-800 1 1 100 10 1 T0-92 11 BC 171 '45 6 100 300 150 0,6 100 125 -:- 900 2 5 300 10 1 T0-92 11 BC 172 25 5 100 300 150 0,6 100 125 -:- 900 2 5 300 10 1 T0-92 11 BC 173 25 5 100 300 150 0,6 100 2'40 -;- 900 2 5 300 '4 0,03-:- 15 T0-92 11 BC 17'4 6'4 5 100 300 150 0,6 100 125-;- 500 2 5 300 10 1 T0-92 11 BC 190 64 5 100 300 175 0,6 100 125-;- 500 2 5 300 10 1 T0-18 10 BC 237 45 6 100 300 150 0,6 100 125-:- 500 2 5 300 10 1 T0-92 11 BC 238 25 5 100 300 150 0,6 100 12S-;- 900 2 5 300 10 1 T0-92 11 BC 239 2S 5 100 300 150 0,6 100 240 .;,_ 900 2 5 300 '4 0,03 -;- 15 T0-92 11 BC 337 45 5 800 625 150 1 so 0,7 500 (100 -:- 630) 100 1 100 - - T0-92 11 BC 338 BC 413 25 30 5 5 800 100 625 300 150 0,7 0,2) 500 10 (100 7- 630) 1'40 -:- 900 1CO 2 1 5 100 250 -3 - 0,03 -:- 1 s T0-92 T0-92 11 11 BC '4H 45 5 100 300 1 so 0,2S 10 2'40-;- 900 2 s 250 3 0,03 -;- 1S T0-92 11 BC S17 * 30 10 .ti()O 625 150 1 100 (min . 30000) 20 2 250 15 0,01 -:- 10 T0-92 11 BCY S8 32 7 200 390 200 0,7 100 120-;- 630 2 5 2SO 6 1 T0-18 10 BCY 59 45 7 200 390 200 0,7 100 120-;- 630 2 5 2SO 6 1 T0-18 10 BCY 69 20 5 100 300 175 0,25 10 4S0-;- 650 2 5 150 s 0,03 -;- 15 T0-18 10 2N 929 45 5 30 300 175 1 10 '40 -:- 120 0,01 5 30 4 0,01 ~ 15 T0-18 10 2N 930 45 5 30 300 175 1 10 100-;- 300 0,01 I 5 30 4 0,01 -;- 1S T0-18 10 ~ • Tranzistor Darlinitan ~ TRANZISTOARE CU SILICIU PLANAR EPITAXIALE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS JOASĂ FRECVENŢĂ, MICĂ PUTERE/ LOW FREQUENCY, LOW POWE.R PNP I Valori limiti absolute Caracter istici elec:trice Maximum rotinis Elt:ctricol chorocterisc;cs Tip/ Type I -- Capsula Yceo (V) I VEBo (V) I Ic (mA) ) Ptot (mW) I 1 i ( 0 C) Ycesat/lc (V) I (mA) h11 o(h21 E)/lc /Y CE I (mA) I (V) I Ic I =' r10mA I (dB) I fli (k Hz) Cose Fi,. ( MHz) BC 1n '45 s 100 300 175 0,95 100 75-260 2 s I 200 10 1 T0-18 10 BC 178 25 s 100 300 175 0,95 100 75-500 2 5 200 10 1 T0-18 10 BC 179 20 s 100 300 175 0,95 100 125-500 2 5 200 4 0,03 ..;-15 T0-18 BC 250 10 20 s 100 300 150 0,3 10 35-600 1 1 180 10 1 T0-92 BC 251 45 11 s 100 300 150 0,3 10 125-900 2 s 200 10 1 T0-92 11 BC 252 25 s 100 300 150 0,3 10 125-900 2 s 200 10 1 T0-92 11 BC 253 25 s 100 300 150 0,3 10 125-900 2 s 200 '4 0,03 ..;- 15 T0-92 11 BC 256 6.of 5 100 300 150 0,3 10 125-500 2 s 200 10 1 T0-92 11 BC 307 .of5 5 100 300 1 so 0,3 10 125-900 2 s 130 10 1 T0-92 11 BC 308 25 5 100 300 150 0 ,3 10 125-900 2 s 130 10 1 T0-92 11 BC 309 25 5 100 300 150 0,3 10 125-900 2 s 130 4 0 ,03 ..;- 1S T0-92 BC 327 11 '45 5 BC 328 2S s 800 800 62S 625 150 1SO 0,7 0,7 soo soo (100-630) 100 1 100 - - - T0-92 11 t100-630) 100 1 100 - T0-92 11 ~~ BC '415 5 100 300 150 0,25 10 12S-900 2 s 200 2 0,03 ..;-15 BC '416 T0-92 11 ·5 100 300 150 0,25 10 125-900 2 5 200 2 0,03 ..;-15 T0-92 11 BC 516 * 30 10 '400 62S 150 1 100 min. 30000 20 2 250 15 0,01 7 10 T0-92 11 BCY 78 32 5 200 390 200 0,8 100 120-630 2 5 180 6 1 T0-18 10 BCY 79 '45 5 200 390 200 0,8 100 120-630 2 5 180 6 1 T0-18 10 • T1anzistor Oorlinfton U 'iii IC llJ Dl J OA'lĂ I HI < VI NI A, t H'Dll] l'lJ 1111\1 Ml /)/UM l'O WI H ~/I /(.ON 11</\N~ IS I OHS NPN Valori limid absolute Caracteristici electrice (T am b= lS•C) M aximvm rotinrs Electricol charocteristics Capsula Tip / Type Yceo ] Yeso (V) (V) I Ic (A) I Ptot (W ) I I Î j c·q Ycesu / 1c (V) I (mA) I I (MHz) 'r/ lc I (mA) I (nA) lcso/Yce I (V) I h11 e/ 1c I (m A ) Case Fi, . BD 135 '4S s 1 6,S 1SO 0,6 soo so so 100 30 40-2SO 1SO SOT-32 9 BD 137 60 5 1 6,5 150 0,6 soo so 50 100 30 40-160 1 so SOT-32 9 BD 139 80 i f 6,S iSO 0,6 soo so so 100 '40 40-160 150 SOT-32 9 PNP BD 136 s 1 6,5 1SO 0,6 soo 50 50 100 30 40-250 1 150 SOT-32 9 e BD 138 BD HO "l 60 80 5 5 1 1 6,5 6,5 150 150 0,6 0,6 soo 500 so 50 so 50 - 100 100 30 30 40- 160 '40- 160 1SO 150 SOT-32 SOT-32 9 9 :iz TRANZISTOARE CU SILICIU DE JOASĂ FRECVENŢĂ, DE PUTERE LOW FREQUENCY, POWER SILICON TRANSISTORS NPN Val o r i limid absolut e Ca r ac ceris t ic i e lectri ce Maximum rat ings Electrical characteristics T ip/ Type Capsul a Fi1. Veso Ic r. Vce„ , / 1c I h11 E/l c I Ca se I vcEO ( Yc s o ) I ptot Rt hj-c (V) (V) I (A) I (W) (°C) I {°C/ W) (V) I (A ) I I ( A) Ir (MHz) BD 233 15 5 2 25 150 I 5 0,6 1 25 1 3 SOT-32 9 BD BD 235 237 60 80 5 5 2 2 25 25 150 150 5 5 0,6 0,6 1 1 25 25 1 1 I 3 3 SOT-32 SOT-32 9 9 BD 133 22 5 4 36 150 3 ,5 0,5 2 85 0,5 3 SOT-32 9 BD 435 32 5 4 36 150 3,5 0,5 2 85 0,5 3 SOT-32 9 BD 437 45 5 4 36 150 3,5 0,6 2 85 0,5 3 SOT-32 9 BD 439 60 5 4 36 150 3,5 0,8 2 10 0 ,5 3 SOT-32 9 BD -441 80 5 4 36 150 3,5 0 ,8 2 40 0,5 3 SOT-32 9 BD 675* 45 5 4 40 150 3,12 2,5· 1,5 mi n . 750 1,5 1 SOT-32 9 BD 6n* "" ,60 5 1 40 150 3,12 2,5 1,5 in in . 750 1,5 1 SOT-32 9 BD 679* 80 5 4 40 150 3,12 2,5 1;5 m in. 750 1,5 1 SOT-32 9 BD 681 * 100 5 4 40 150 3,12 2,5 - 1, 5 m in. 750 1,5 1 SOT-32 9 - - --- • 1 t onz istoarc Dori mi ton 1l{At~J.: ISTOA IU <..U ~I LI C..IU D l J OA~Ă I RI C. VI NI Ă , Ol PU't LRL I OW I HI QUINCY, />QWLH SILICON I R/\NSIS I ORS NPN Valo r i tim id absolut e Caracter istici ele ctrice Maximum rotinis Electrical cho racteristics Capsula r ip/ Type I I Vc esu/1c I h11E/ 1c I Case fi1. Vceo (Ycs o ) (V) Ve s o (V) 5 I Ic (A) 7 I pt ot ( W) 50 I I Ţi (•C) Rt hi-c (•C/ W) 2,5 (V) 1 I (A} 3,5 I - 20-100 I (A) 2 (MHz) Ir 0,8 T0-220 12 2N 5490 40 175 55 5 7 50 175 2,5 1 3,5 20-100 2 0,8 T0-220 12 2N 5492 2N 5494 2N 5496 . 40 70 5 5 7 7 50 so 175 175 2,5 2,5 1 1 3,5 3,5 20-100 20-100 2 2 0,8 0,8 T0-220 T0-220 12 12 2N 3055 60 7 15 117 200 1,5 1, 1 4 20-70 4 0,8 T0-3 13 2N 3055/1 30 7 15 117 200 1,5 1,5 4 20-70 3 0,8 T0-3 13 2N 3055/2 30 7 15 117 200 1,5 1, 5 4 10- 70 3 0,8 T0-3 13 2N 3055/3 60 7 15 117 200 1,5 1,5 4 20-70 3 0 ,8 T0-3 13 2N 305514 20 7 15 117 200 1,5 1,5 4 30-70 3 0,8 T0-3 13 2 N 305515 20 7 15 117 200 1,5 1,5 4 14 4 0,8 T0-3 13 2N 305516 60 7 15 117 200 1,5 1.1 4 15-70 4 0,8 T0-3 13 2N 305517 60 7 15 117 200 1,5 1,1 4 14-70 3 0,8 T0-3 13 2N 3055/8 60 7 15 117 200 1,5 1,1 4 70 4 0,8 T0-3 13 2N 305519 45 7 15 117 200 1,5 1, 1 1 14-70 3 0,8 T0-3 13 2N 3055/10 45 7 15 117 200 1,5 1,1 4 70 4 0,8 T0-3 13 2N 3442 140 7 15 117 200 1,5 1 3 20- 70 3 0,8 T0-3 13 2N 4347 120 7 15 100 200 1,75 1 2 20- 70 2 0,8 T0-3 13 BD 142 45 7 15 117 200 1,5 1,1 4 12- 160 4 0,8 T0-3 13 t; - -- :t: TRANZISTOARE CU SILICIU DE JOASĂ FRECVENŢĂ, DE PUTERE LOW FREQUENCY, PO WER SILICON TRANSISTORS NP N Va lori lim itl absolute Caractedstici e lectrice Mo~imum ratinfs EJectricol choracter i1tics Capsula Tip/Type fig. VcEsu / 1c I h11e/ 'c I(MHZ) Case Vcso (V) I Veeo (V) I 'c (A) l ptot (W) l Ti ("C) I Rthj-c (°C/ W) (V) I (A) I I (A) 'T SDT 9201 45 12 15 117 200 1,5 1, 1 „„ 20-70 4 0,8 T0-3 13 SDT SDT SDT 9202 9203 920.f 80 100 120 12 12 12 15 15 15 117 117 117 200 200 200 1,5 1,5 1,5 1, 1 1,1 1, 1 4 „ 20-70 20-70 20-70 4 4 4 0,8 0,8 0,8 T0- 3 T0-3 T0-3 13 13 13 SDT 9205 o;. . 45 12 15 117 200 1,5 1, 1· 4 15-70 4 0,8 T0-3 13 SDT 9206 ' 60 12 15 117 200 1,5 1, 1 4 ' 15-70 4 0,8 T0-3 13 SDT 9207 80 12 15 117 200 1,5 1.1 4 15-70 4 0,8 T0-3 13 SDT 9208 100 12 15 117 200 1,5 1,1 4 15-70 4 0,8 T0-3 13 SDT 9209 120 12 15 117 200 1,5 1,1 4 15-70 4 0,8 T0-3 13 SDT 9210 30 5 15 117 200 1,5 1, 1 2 15 2 0,8 T0-3 13 ,- l'RANZISTOARI: CU SILICIU DE JOASĂ FRECVlNl Ă, Dl: PU'l'l:RL LOW FREQUENCY. POWER SILICON TRANSISTOR$ PNP Valori limid ab1alute Caracteristici e lectrice Max;mum ratinrs EJectrkal characteri.stics l Capsula Tip/Trpe - Case fi& . Vcso VEBO Ic J _Ptot T; Rthi·c ·Ycesu/ 'c I h11E/ Ic fŢ (V) (V) (A) (W) ("Cl (°C/ W) (V) (A) (A) (MHZ) BD 234 45 5 2 25 150 5 0,6 1 25 1 3 SOT-32 9 BD 236 60 5 2 25 150 5 0,6 1 25 1 3 SOT-32 9 BD 238 80 5 2 25 150 5 0 ,6 1 25 1 3 SOT-32 9 BD 434 22 5 4 36 150 3,5 0,5 2 85 0,5 3 SOT-32 9 BD 436 32 5 4 36 150 3,5 0,5 2 85 0,5 3 SOT- 32 9 BD 438 .f5 5 4 36 150 3,S 0,6 2 85 0,5 3 SCT-32 9 BD .f-40 60 5 4 36 150 3,5 0,8 2 40 0,5 3 SOT-32 9 BD .f-42 80 5 4 36 150 3,5 0,8 2 40 0 ,5 3 SOT-32 9 BD BD 676* 678* 45 60 5 5 „„ 4 40 40 40 150 150 150 3,12 3,12 3,12 2,5 2,5 2,5 1,5 1,5 1,5 min . m i n. 750 750 750 1,5 1,5 1,5 1 1 1 SOT-32 SOT-32 SOT-32 9 9 BD 680* 80 5 m i n. 9 BD 682* 100 5 4 40 150 3,12 2,5 1,5 m in. 750 I 1,5 1 SOT-32 9 t; • Tronz: i.u oare Do r linJCOn ~--- -- - -- -----·------ ----- .... TRANZISTOARE CU SILICIU DE O> ÎNALTĂ FRECVENŢĂ , MICĂ PUTE RE SILICON HIGH FREQUENCY, LOW POWER TRANSISTORS NPN Valori limitl absolute Caracteristici e lectrice Maxim um rotings Electrical charocterist ics Tip/ Type Capsula I I I I c•ti h l 1E/ 'c I 1c s o / Yc s o Cose Fi1. I Yc so Yceo ptot C12e fT (V) ( V) Yeso (V) •c ( mA) (mW) T· - - - -, ( mA) I (nA) I (V) I (pf) I ( MHz) . BF 115 so 30 5 30 145 175 40-165 1 100 10 0,65 230 T0-72 14 BF 167 40 30 4 25 130 175 25 4 100 20 0,15 350 T0-72 BF 173 14 40 25 4 25 200 175 BF 180 30 20 - 20 150 175 "° 15 7 2 100 100 20 20 0,23 0,28 550 675 T0-72 T0-72 14 14 BF 181 30 20 - 20 150 175 20 2 10 20 0,28 600 T0-72 14 BF 184 30 30 4 30 160 175 67- 330 1 100 10 0,55 250 T0-72 14 BF 185 30 30 4 30 160 175 36- 125 1 100 10 0,55 250 T0-72 14 BF 198 40 30 4 25 300 150 27 4 100 40 0,22 400 T0-92 11 BF 199 40 25 4 25 300 150 38 7 100 40 0,32 550 T0-92 11 BF 200 30 20 - 20 150 175 15 2 1 10 0,28 650 T0-72 14 BF 214 30 30 4 30 160 175 90- 330 1 100 10 0,55 250 T0-72 14 SF 215 30 30 4 30 160 175 40- 165 1 100 10 0,55 250 T0-72 14 BF 240 ._.,. 40 40 4 25 300 150 67- 220 1 100 20 0,27 430 T0-92 11 BF 241 40 40 4 25 300 150 36- 125 1 100 20 0,27 400 T0-92 11 BF 254 30 20 4 30 220 125 67- 330 1 100 10 0,85 260 T0-92. 11 BF 255 30 20 4 30 220 125 36- 125 1 100 10 0,85 200 T0-92 11 BFX 89 30 15 2,5 2S 200 200 20- 150 2 10 15 0,8 1000 T0-72 14 BFY 90 30 1S 2,5 25 200 200 25-150 2 10 1S 0,8 1300 T0-72 14 2N 918 30 15 3 so 200 200 20 3 10 15 - 600 T0-72 14 - -~ - j -..___ ~ . 1 TRANZISTOARE-CU SILICIU DE îNALTĂ FRECVENŢĂ, MICĂ PUTERE SILICON HIGH FREQUENCY, LOW POWER TRANSISTORS PNP „,,„.j I Valori limitl absolute Maximum rotinrs I I I I h21E/ Ic I Caracteristici electrice Electrical choracteristics lcao/ Vcso I Capsula Cose Fi1. i I Ycao Vceo C12e fT Ti - - - - - (V) - - (V) VEBo (V) -- Ic (mA) ~--- -- - Ptot (mW) ( C) 0 I (mA) I ~nA)__l___!~ _ (pf) -~----- - (MHz) --- -·- ~ BF BF BF 272 A 316 A 479 40 40 30 3S 35 2S 3 3 3 20 20 so 200 200 170 200 200 150 25 30 20 3 3 10 100 100 100 20 20 20 0,4 0,35 0,9 700 550 1400 T0-72 T0-72 T0-50 T 14 14 15 I: BF 479 S 30 2S 3 so 170 150 20 10 100 20 0,9 1000 TO-SO T 15 BF 506 40 35 3 30 300 1SO 25 3 200 20 - 400 T0-92 11 BF 509 40 35 3 30 300 150 2S 3 200 20 - 550 T0-92 11 BF 914 40 35 4 25 300 150 25 3 100 20 0,8 600 T0-92 11 ...._, -- ~ TRANZISTOARE CU SILICIU , AMPLIFICATOARE DE ÎNALTĂ TENSIUNE SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NP N Valori li mi tl absolute Caracteristici e lectrice Maximum rotinis Electrica( choracte ristics I Ti p/ Type V cso Vce o Veso Ic ptot Tj h11 e/ ' c I 'cs o / Ycs C12e IT Capsula Case Fi e. (V) I (Vc eR) (V) I (V) (m A) I (m W) I c·q I (mA) (nA) I (V) ( pF) I ) MHz) BF 257 160 160 5 100 5000 175 25 30 50 100 4,2 90 T0-39 16 BF 258 250 250 I 5 100 5000 175 25 30 50 200 4,2 90 T0-39 16 BF 259 300 300 5 100 5000 175 25 30 50 250 4,2 90 T0 -39 16 BF 457 160 160 5 100 10000 150 25 30 50 100 4,2 90 SOT-32 9 BF 458 250 250 5 100 10000 150 25 30 50 200 4,2 90 SOT-32 9 BF 459 " 300 • 300 5 100 10000 150 25 30 50 250 4,2 90 SOT-32 9 BF 297 160 160 5 100 625 150 25 30 so 100 4,2 90 T0-92 11 BF 298 250 250 5 100 625 150 25 30 50 200 4,2 90 T0 -92 11 BF 299 300 300 5 100 625 150 2S 30 50 250 4,2 90 T0-92 11 - ,........................_...._.....o!Of;:;;:"J•LJ ----- TRANZISTOARE CU SILICIU PENTRU APLICAŢII DE COMUTAŢIE RAPIDĂ SILICON TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICA TIONS NPN Valo ri limitl absotuc • Caracteristici electrice/ Electr ical characteristics M a Jdmum rotinis Capsula h11 e/ lc / VCE Cose Fie. Ti p/ Tyj>e Vcoo ( V) v"o (V) I v„ o I '' (V) (mA) Ptot (mW) Ti (•C) Vc esu/ Ic (V) I (mA I (mA I (V) I I I IT { MHz) t n (nS) 0 'oii ( nS ) - ....,, 10 1 400 12 18 T0-18 10 BSV 89 2S 10 s 200 360 200 0,8 100 40 10 1 400 12 18 T0-18 10 BSV 90 · 30 13,5 s 200 360 200 0,5 100 40+ 120 10 1 400 12 18 T0-18 10 BSV 91 40 1S s 200 360 200 1 100 40+ 270 0,7 1000 30+ 120 300 o.s 450 1S 2S T0-39 16 25 12 4 1000 600 200 BSX 12 BSX 21 120 80 5 100 300 17S 0,7 4 20 4 3 60 - - T0-18 10 16 1 1000 40 + 250 100 1 50 200 8SO T0 · )9 BSX 45 80* 40 7 1000 800 200 T0- 3'1 16 1000 800 200 1 1000 40 + 2SO 100 1 50 200 8SO BSX 46 100* 60 7 50 200 8SO TO-l9 1~ 7 1000 800 200 0,9 500 40 + 250 100 1 BSX 47 120* 80 70 5SO T0·18 10 BSX 51 2S 25 s 200 300 175 0,3 so 7S + 22S 2 4,S 150 70 550 T0-18 10 0,3 so 75+ 22S 2 4,5 150 BSX 51 A 50 so 7 200 300 175 4,5 150 70 550 T0-18 10 BSX 51 B BSX 52 60 25 50 60 25 50 7 5 7 200 200 200 300 300 300 175 175 175 0,3 0,3 0,3 50 50 50 75 + 225 180+ 540 180+ 540 ' 2 2 4,5 4,5 150 150 70 70 550 550 T0-18 T0-18 10 10 BSX 52 A 2 4,5 1so 70 550 T0-18 10 8SX 52 B 60 60 7 200 300 175 0,3 50 180+ 540 10 0,15 10 60 10 1 450 T0-18 2N 706 25 - 3 300 360 175 200 0,15 10 50 0,5 1 480 T0-18 10 2N 708 40 15 5 60 T0-3Q 16 2N 1613 I 75 50 7 500 800 200 1,5 150 40 + 120 150 10 I .... - - • VcF~ g TRANZISTOARE CU SILICIU PENTRU APLICAŢII DE CUMUTAŢIE RAP IDĂ SILICON TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS NPN Valori limitl absolute Caracteristici electric• Maxi mum ra tinis Elect.rical tharocte,;stics Ti p/ Type Vcao Vceo Veao I Ic ptot I Ţi Vce.../ lc I h11e/ 1c / vce ., I ·o· I toff Capsul a Cose Fie. (V) (V) (V) ( "'A) (mW) 0 ( C) (V) I ( mA) I (mA) I (V) (MHz) ( nS) (nS) 2N 1613 A 100 60 7 soo 800 200 o.s 1SO .f0-;- 120 150 10 70 T0-39 16 2N 1711 75 50 7 soo 800 200 1,S 150 100-;- 300 150 10 70 T0-39 16 2N 1711 A 100 60 7 soo 800 200 O,S 150 100-;- 300 150 10 i'O I T0-39 16 2N 2217 60 30 s 800 800 175 1,6 500 17 10 10 200 T0-39 16 2N 2218 60 30 s 800 800 175 1,6 500 3S 10 10 2SO T0-39 16 2N 2218 A 75 .fa 6 800 800 175 1 500 3S 10 10 2SO 35 28S T0-39 16 2N 2219 60 30 s 800 800 175 1,6 500 75 10 10 250 T0-39 16 2N 2219 A 7S .fa 6 800 800 17S 1 500 75 10 10 300 35 285 T0-39 16 2N 2220 60 30 s 800 soo 175 1,6 500 17 10 10 200 T0-18 10 2N 2221 .,. 60 30 s 800 soo 175 1,6 500 35 10 10 250 T0-18 10 2N 2221 A 75 . .fa 6 800 500 17S 1 500 35 10 10 250 35 285 T0-18 10 2N 2222 60 30 s 800 soo 175 1,6 500 75 10 10 250 T0-18 10 2N 2222 A 75 .fa 6 800 soo 17S 1 500 75 10 10 300 35 285 T0-18 10 2N 2368 .fa 1S '4,5 200 360 200 0,2S 10 20 -;- 60 10 1 .fOO 12 15 T0-18 10 2N 2369 .fa 1S '4,S 200 360 200 0,2S 10 ..0-;- 120 10 1 soo 12 18 T0-18 10 2N 2369 A .fa 1S .f,5 200 360 200 0,2 10 ..0-;- 120 10 1 soo 12 18 T0-18 10 2N 2890 100 80 5 2 800 200 0,75 2000 30-;- 90 1000 2 30 300 1SOO T0-39 16 2N 2891 100 80 5 2 800 200 0,75 2000 50-;- 1 so 1000 2 30 300 1SOO , 0-39 16 TRANZISTOARE CU SILICIU PENTRU APLICAŢII DE CUMUTAŢIE RAPIDĂ SILICON TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS PNP Valori limitl absolut• Caracteristici electrice Maximum ratin.is Elect,;cof characteristia Tip/ Type Vcao I Vceo I I I Vcesat/ lc I h11 E/ I C/ VCE I I 'off Capsula Case Fie. (V) (V) Veao (V) •c (mA) Ptot (mW) T; {°C) (V) I (mA) I (mA) (V) Ir (MHz) 'on (nS) (nS) soo I BSV 1S .fa* '40 s 1000 800 200 1 soo ..0-;- 250 100 1 so soo 650 T0-39 BSV 16 BSV 17 60* 90 ~ 60 80 5 s 1000 1000 800 800 200 200 1 1 250 soo I 10 : 250 "° : 100 100 1 1 so so 500 soo 6SO 6SO T0-39 T0-39 16 16 16 BSW 19 3S )0 s 100 lOO 17S O,l SO so : 120 I 50 1 1SO 1SO 800 T0-18 10 BSW 21 2S 25 5 200 300 175 o.s so I 75 : 22S 2 '4,5 150 T0-18 10 BSW 21 A so 50 5 î.00 300 175 0 ,5 SO I 75 : 225 2 -4,5 150 T0-18 10 BSW 22 2S 2S „r 200 300 17$ 0,5 so 180-;-5'40 2 '4,5 1SO T0-18 10 BSW 22 A so so s 200 300 17S 0,5 so 180-;-S<tO 2 <f,S 150 T0-18 10 2N 290.<f 60 '40 5 600 800 200 1,6 500 3S 10 10 200 T0-39 16 2N 290.<f A 60 60 s 600 800 200 1,6 500 35 10 10 200 so 110 T0-39 16 2N 2905 60 <fO 5 600 800 200 1,6 500 75 10 10 200 T0-39 16 2N 2905 A 60 60 5 600 800 200 1,6 500 7S 10 10 200 so 110 T0-39 16 2N 2906 60 .fO s 600 .fOO 200 1,6 soo 3S 10 10 200 T0-18 10 2N 2906 A 60 . 60 5 600 .fOO 200 1,6 soo 35 10 10 200 50 110 T0-18 10 2N 2907 60 <fO 5 600 .fOO 200 1,6 soo 7S 10 10 200 T0-18 10 2N 2907 A 60 60 5 600 .fOO 200 1,6 soo 7S 10 10 200 so 110 T0-18 10 ,_ c• • vccs . ,, : ~ TRANZISTOARE CU SILICIU, DE COMUTATIE · RAPID~ DE PUTERE FAST SWITCHING, SILICON POWER TRANSISTo'RS ' .. NPN Valori lim itl a bsolute Car acte r istici electr ice Ma.rimum rotinis Electrical choract eristia Tip/ Ty~e I I Capsula/Cose Fis. Vcso (V) I I Vceo (V) I Veso (V) I Ic (A) Pto t ( W) Ti (•C) I Rchj· c ("CJW) Vcesu/lc (V) I (A) I (µs) I •ort/ Ic /la (A) I (A ) I '· (MHz) BUR 606 4-00 200 6 10 60 200 1,9 1 s 0,7S s o.s 10 T0-66 (f 22) 17 BUR 606 D 400 - 6 10 60 I 200 1,9 1 s 0,7S s o.s 10 T0-66 (f 22) 17 BUR 607. 330 200 6 10 60 200 1,9 1 5 0,4 6 1,2 10 T0-66 (f 22) 17 BUR 607 D 330 - 6 10 60 200 1,9 1 s 0,75 s 0,65 10 T0-66 (f 22) 17 BUR 608 400 200 6 10 60 200 1,9 1 6 0,75 5 0,65 10 T0-66 (F 22) 17 BUR 608 O. . 4-00 - 6 10 60 200 1,9 1 6" o,s 6 1,2 10 T0-66 (F 22) 17 BU 806 R** 400 200 6 15 60 150 2,08 1,2 6 1 s o.os• - T0-66 (F 22) 17 BU 807 R'"* 330 1SO 6 1S 60 150 2,08 1,2 6 1 s o.os• - T0-66 (F 22) 17 • 'a ~nai/ - •• Tranzistoore Darlin1 ton TRANZISTOARE CU EFECT DE ClMP CU JONCŢIUNE, CU CANAL N SILICON N- CHANNEL JUNCTION FIELD EfFECT TRANSISTOR$ Caracte ristici elec trice/Electricol charocteristics I Val ori l imitl absolut e/ MoKimum rotin11 Ti p/ Ty~ Voss VGSS Io IG Rchj-a Vp/u v 0 s ~lS max ,,, I V fS I Vds ly111 Capsule Cose I Fis . (V) (V) (mA) ( mA) (°C/ W ) (V) (pf) (mS) /( V )/(V) (MHz) I BF 24S 30 - 30 2S 10 2S(I 15 1,1 3.. . 6,5 o 1S 700 T0-92 11 BF 247 2S -30 300 10 2SO 15 3,S >8 o 1S 4SO T0-92 11 BF 2S6 30 -30 25 10 2SO 15 0,7 > '4,S o 15 1000 T0-92 11 O• r.. .r·.Qr:c.' ·oN ,~ , ,• .„ (. DIODE CU SILICIU DE COMUTAŢIE SILICON SWITCHING DIODES Valori limitl abso lute Caracteristici electrice/ Maximum rotinrs llectrical characteristics Capsula Tip/Type vk ca,e , Fi1. VR IF Tj VF IF •1t ctot 'rr (V) I (mA) I ("C) I (V) I (mA) (nÂ) I (V) I (pf) I (ns) „ „ 1 N '4148 1N '41'49 75 75 200 200 200 200 1 1 10 10 25 25 20 20 2 „ 00-35 00-35 18 18 1N '4151 50 200 200 1 50 50 20 2 2 00-35 18 1 N '415'4 25 200 200 1 30 100 25 4 2 00-35 18 1 N 44'46 75 200 200 1 20 25 20 4 4 00-35 ~ 18 1N 4447 75 200 200 1 20 25 20 2 4 00-35 18 1N 4448 75 200 200 1 100 25 20 4 4 00-35 18 1N 4449 75 200 200 1 30 25 20 2 4 00-35 18 1N 4454 50 200 200 1 10 100 20 2 2 00-35 18 BAY 93 20 115 200 1 10 100 10 5 - 00-35 18 OP 450 20 50 125 1 10 0,01 20 1,5 350 T0-18 10 OP 451 20 50 125 1 10 0,025 20 1,5 350 T0-18 1ct °' -.) &; DIODE CU SILICIU PENTRU COMUTARE SILICON DIODES FOR SWITCHING APPLICA TIONS Valori llmitl absolute Caracteristici electrice/E/Ktrico/ choroctori11Jc1 ff 01t/m11m rotin11 Capsula Tlp/ Ty1>e Case ;:1,. VR (V) I<Tamb~60°Cl I (mA) Ti < c1 0 VF (lf-100mA) {V) I (IR - IR1SV) (nA) I (nH) L, 1 (lf-~~mA) I (O) ctot (pf) BA 243 20 100 100 1 100 2,5 1 2 DO 35 18 2,5 BA 244 20 I 100 100 1 100 0,5 2 DO 35 18 DIODE CU SILICIU DE UZ GENERAL GENERAL PURPOSE SILICON DIODES Valori limiti absolute Caracteristici e lectrice .,. Maximum ratints Electrical characteri1tics . Capsula Tip/ Type ' VR (V) I IF (mA) I lPtot (mW) Îj (•C) VR (V) I lf (mA) l (nA) IR I VR (V) I Rth C°C/mw C.ue Fie. BA 170 20 150 300 150 1 80 50 10 0,41 DO 35 18 BA 171 30 150 300 150 1 80 50 15 0,41 DO 35 18 BA 172 so 150 300 150 1 80 50 25 0,41 DO 35 18 DIODE IMPATT IMPA rr DIODES Caracteristici electrico/ Eltctrical charact.eristic1 Polarizare 8io1 Eficienţi Ef(iciency Valori limitl Maximum ratints I Tlp/Type Vs11/'R-1mA I I I I IR Co pout fo •o I vo "ll/ IR-10 Îj I ·c·c1w1 11 th i·c Capsull Case I Fir. (V) (µA) {pf) (mW) (GHz) (mA) (V) (%) ("C) I 8XY 0181 70 •. . 90 10 0,8 100 8 ... 12 40 95 3 200 30 F-27 d 19 BXY 0182 70 ... 90 10 0,8 100 8 . . . 12 40 95 3 200 30 F-27 d 19 BXY 0301 60 ... 100 10 1 350 10 . .. 12 80 100 5 200 23 F-27 d 19 BXY 0302 60„ .100 10 1 350 10„ .12 80 100 5 200 23 F-27 d 19 BXY 0381 60 ... 100 10 1 350 8„ . 10 80 100 5 200 21 F-27 d 19 BXY 0382 60 ... 100 10 1 350 8 „ .10 80 100 5 200 21 F-27 d 19 BXY 0391 60. „ 100 10 1 350 9 .. . 11 80 100 5 200 22 F-27 d 19 BXY 0392 60. „ 100 10 1 350 9„ .11 80 100 5 200 22 F-27 d 19 BXY 0501 60 „ .100 10 1,2 500 10„ .12 100 110 6,5 200 19 F-27 d 19 BXY 0502 60. „ 100 10 1,2 500 10 „ .12 100 110 6,5 200 19 F-27 d 19 BXY 0581 60 ... 100 10 1,2 500 8„ .10 100 110 6,5 200 17 F-27 d 19 BXY 0582 60 ..• 1.00 10 1,2 500 8 ... 10 100 110 6,5 200 17 F-27 d 19 BXY 0591 60 „ .100 10 1,2 500 9 „ . 11 100 110 6,5 200 18 F-27 d 19 BXY 0592 60 ... 100 10 1,2 500 9 .. . 11 100 110 6,5 200 18 F-27 d 19 ~ ....~ OOO MMM DIODE STABILIZATOARE DE TENSIUNE SILICON ZENER DIODES ......... •„ -"„ . u ::-u" 0000000 0000000 < ---- E . "' 8 l: CX!.":...ct 'i - E o~M - ... 1t > - -- > C ~Ll'H'"' - 00 ~ ......... ..... .......... 0 ... .n ·e O~M -s_ ..... - ... "'"°,.,, )( E -M < "' "'M E o X }tLrt= " „ „ „ '°'°"''°..ir-i +++ ++ + 'i > e o - M U\ U\ ..... "'"' ~..; ,.; "°~ ·~u :~ ~ ..... - -- > I Vz < .! ~ ~ c "' "' co -OM~ E o;V ZT • u ·e o,,:,,: a „~li Capsula ·-u"~ lzr ~smA F11. Tip/ TrP• min. nom. mallC. I-~ Cose 'M .c (10- •/ 0 C) • u (V) (V) (V) _N ... - ------- ·~a ~ ·~ ~„ "„ '°..,o E "'"'"' - M "' ţ. ... E - - :; U- ~ < ,( -- .., "'.., 'IONCO 0,4 DZT"" w 0,7 0,75 0,8 8 -26 .. . o DO 35 18 l! i E o..,.:.,,: 2,9 83 -9 ... 0 DO 35 18 u ~ > DZ 2V7 2,5 2,7 ..... - M -" '- DZ 3 2,8 3 3,2 95 - 9 ... 0 DO 35 18 > C U"tO'loO M 3,3 3,5 95 - 8„ . 0 DO 35 18 ·e o T"'„..,.: DZ 3V3 3,1 :J DZ JV6 3,4 3,6 3,8 95 - 8 „. 0 DO 35 18 u DZ 3V9 3,7 3,9 4,1 95 -7 ... 0 DO DO 35 35 18 18 ....I §: • OOO DZ 4V3 4,0 4,3 4,6 95 -6 ... o V'J „„ :;: > ~ ~~~~~0'-0\ Vl I:' E " COO"' -O"" M ~M DZ 4V7 4,4 4,7 5, 1 5,0 5,4 78 60 -5 ... 2 -3 ... 4 DO DO 35 35 181 18 UJ a .!: -- :::> < E - ~ - - DZ 5V1 4,8 40 - 2 ... 6 DO 35 18 "' ..... ... M DZ 5V6 5,2 5,6 6,0 o ~ u o „o "E ..,.: DZ 6V2 5,8 6,2 6,6 10 - 1 „.7 DO 35 18 a E ·;;" E "' '°co tJw I ~ ~... - - - DZ 6V8 6,4 6,8 7,2 8 -0 ... 7 DO 35 18 UJ !." -... o- riri""""'"° +++++ u .e "°..-MMf'I\ - I I a:: > .: ·e ... COM oo..,.: M DZ DZ 7V5 8V2 7,0 7,7 7,5 8,2 7,9 8,7 7 7 -0 . .. 7 -0 „.7 DO DO 35 35 18 18 _z :Ju u ;::: :::! G :! ă" „ .s> -- - ~ .M ,.: o V'J ZUJ -a :! -"'ii~ >o_ DZ DZ DZ DZ 9V1 10 11 12 8,5 9,4 10,4 11,4 9,1 10 11 12 9,6 10,6 11,6 12,7 10 15 20 20 -0 .. . 8 o„ . 8 o„ .9 o„ .9 DO DO DO DO 35 35 35 35 18 18 18 18 Vl -<:( Cl... ~ ·e ·-U I- ~ _ 0000000 .............................. "'"'"'""'"'"'""' ><( Q -"„„ OOO "' ~ -~~ DZ 13 12,4 13 14,1 15,6 25 30 o„ .9 o„ .9 DO DO 35 35 18 18 :J uu -<:( ·;:: t-·a :::. ~ .~ DZ 15 13,8 15 o Oi --· z UJ „ .s> -~ ~e -- --~ DZ DZ 16 18 15,3 16,8 16 18 17,1 19,1 40 50 o„ .9,5 o. „9,5 DO DO 35 35 18 18 > "' > ~ 00000 I I a:: u H .!~ OOO Q.. UJ <~ u -.J 11-- - ' -- - ,.., ,.,, C"'l M f"""'t w z - " u.. UJ ·-" . ..: - - u OOO "'~ -~~ DZ DZ 20 22 18,8 20,8 20 22 21,2 23,3 50 55 o .. . 10 o . „10 DO DO 35 35 18 18 wa:::: ~~ - -- - DZ 24 22,8 24 25,6 80 O„ .10 DO 35 18 a:: ii: a:: UJ Oi > :c - OOO DZ 27 25,1 27 28,9 80 o . .. 10 DO 35 18 1..1... ... < ~~ W UJ I I- !. "' "' "' MMM DZ 30 28,0 30 32,0 80 o„ .10 DO 35 18 ..-NU"t\OC'OO MMNMM.-.- o a::: OZ 33 31,0 33 35,0 80 o ... 10 o. „10 DO DO 35 35 18 18 o zuo wZ ..- .... . - .... . - M ... w „ ~MM DZ 36 34 36 38 90 a. 39 41 90 o„ . 12 DO 35 18 00 co co co co'° co co co co '° C!1. C!1. ~ OOO DZ 39 37 o „ . 12 DO 35 18 o~ o Q: a::a::a:: OOO DZ 43 40 43 46 100 o „ .12 DO 35 18 o --.J V) _,,___ _ _ ___..!.__ _ __ o ~ i= DZ 47 44 47 50 54 100 100 o„ .12 DO 35 18 V'J DZ 51 48 51 60 ~ DIODE STABILIZATOARE DE TENSIUNE SILICON ZENER DIOD,E.S Vz I Iz •zr cxV ZT 1zM Capsula I T ip/ Type min. nom. max. (10-'/ 0C) Case fie. ( mA) (0) (mA) (V) (V) I (V) I 1W fN10'16 B 6,4 6,8 7,2 37 3,5 2 ... 6 HO DO 13 21 1N 3017 B 7 7,5 7,9 34 4 3 ... 7 130 DO 13 21 1N 3018 8 7,7 8,2 8,7 31 4,5 3,5 . . . 7,5 110 DO 13 21 1N 3019 8 8,5 9,1 9,6 28 5 4 .. . 8 100 DO 13 21 1N 3020 8 9,4 10 10,6 25 7 4 . .. 8 94 DO 13 21 1N 3021 B 10,4 11 11 ,6 23 8 4 . . .9 86 DO 13 21 1N 3022 B 11,4 12 12,7 21 9 4 . . .9 79 DO 13 21 1N 3023 B 12,4 13 14,1 19 10 4 .. . 9 71 DO 13 21 1N 3024 B 13,8 15 15,6 17 14 s .. .9 64 DO 13 21 1N 3025 B 15,3 16 17,1 15,5 16 5 .. . 9 59 DO 13 21 1N 3026 B 16,8 18 19, 1 14 20 s .. .9 52 DO 13 21 1N 3027 B 18,8 20 21 , 2 12,5 22 5 ... 9 47 DO 13 21 1N 2028 B 20,8 22 23,3 11,5 23 5 ... 9 43 DO 13 21 1N 3029 8 22,8 24 25,6 10,5 25 s .. .9 39 DO 13 21 1 N 3030 "e ' 25 ,1 27 28,9 9,5 35 5. . . 9 35 DO 13 21 1N 3031 B 28 30 32 8,5 40 5 .. . 9 31 00 13 21 1N 3032 B 31 33 35 7,5 45 5 ... 9 29 DO 13 21 1N 3033 B 34 36 38 7 so 6 . .. 10 26 DO 13 21 1N 303.f B 37 39 '41 6,5 60 6 ..• 10 2.f DO 13 21 1N 3035 B '40 43 46 6 70 6 „ .10 22 DO 13 21 1N 3036 B 44 47 50 5,5 80 8 „ . 10 20 DO 13 21 DIODE STABILIZATOARE DE TENSIUNE SILICON ZENER DIODES Vz I I cxVZT 1ZM Capsu la Fie. Iz •zT Cose I (10-'/ 0 C) (mA) \ Tip/ Type min. nom. max. (mA) (O} II (V) I (V) I (V) \ 95 8. „ 10 19 DO 13 21 1N 3037 B 48 51 54 5 21 l 1N 3038 B 52 56 60 4,5 110 9„ .10 9„ .10 II 17 15 DO 13 DO 13 21 1N 3039 B 58 62 66 4 125 3,7 150 9. „ 10 14 DO 13 21 1N 3040 B 64 68 72 21 79 3,3 175 9„ .10 13 DO 13 1 N 3041 B 70 75 DO 13 21 82 87 3 200 9„ . 10 12 1N 3042 B 77 10 DO 13 21 91 96 2,8 250 9 ... 10 1N 3043 B 85 9,4 DO 13 21 100 106 2,5 350 9„ .10 1N 3044 B 94 8,6 DO 13 21 104 110 116 2,3 450 9 „ .11 1N 3045 B 9 „ . 11 7,8 DO 13 21 1 N 30-46 B 114 120 127 2 550 1,9 710 9„ . 11 7 DO 13 21 1 N 30-47 B . 124 130 141 21 156 1,7 1000 9„ . 11 6,4 DO 13 1 N 30-48 B 138 150 DO 13 21 171 1,6 11 00 9„ .11 5,8 1N 3049 B 153 160 DO 13 21 191 1,4 1200 10. „ 11 5,2 180 1 N 3050 B 1N 3051 B 168 188 200 212 - 1,2 1500 ·- 10 „ .11 4,7 - DO 13 _I 21 - ~ ~ DIODE STABILIZATOA RE DE TENSIUN E SILICON Z[NER DIODES · T iplType I min. __l__ v _z _ nom . j m ax. I (mA) Iz ' ZT (!l) oc VZT (10-•/ 0 C) Ij lzM (mA) Caps ula Cose . Fig. - - - --- (V) (V) _1 (V) I - 1W PLJVfz 3,1 3,3 3,5 100 10 -6 28S F 126 20 PL3V6Z 3. 4 3,6 3,8 100 10 - S,S 260 F 126 20 PL3V9Z 3,' 3,9 4,1 100 7 - 5 240 F 126 20 PL4V3 Z 4 4,3 4,6 100 7 - 4 21S F 126 20 PL4V7Z 4,4 4,7 S 100 7 - 2 200 F 126 20 PL5V1Z 4,8 5,1 S,4 100 S 1 18S F 126 20 PL5V6Z S,2 5,6 6 100 2 2,5 16S F 126 20 PL6V2Z 5,8 6,2 6,6 100 2 3,2 150 F 126 20 PL6V8Z 6,4 6,8 7,2 100 2 4 140 F 126 20 PL7VSZ 7 7,S 7,9 100 2 4,5 130 F 126 20 PL8V2Z 7,7 8,2 8,7 100 2 4 ,8 110 F 126 20 PL9V1Z 8,S 9,1 9,6 SO 4 S,1 100 F 126 20 PL 10Z 9,4 10 10,6 SO 4 S,5 94 F 126 20 PL 11z„ 10,4 11 11,6 SO 7 6 86 F 126 20 PL 12Z • 11 ,4 12 12,7 SO 7 6,5 79 F 126 20 PL 13Z 12,4 13 14,1 SO 10 6,5 71 F 126 20 PL 15Z PL 16Z 13,8 1S,3 I 15 16 15,6 17,1 so 25 10 15 7 7 64 59 F F 126 126 20 20 PL 18Z PL 20Z PL 22Z 16,8 18,8 20,8 II 18 20 22 19,1 21 ,2 23, 3 I 25 25 25 15 15 15 7,5 7,5 8 52 47 43 F F F 126 126 126 20 20 20 DIODI S I ABii i / A I OARL OL I LNSIUNE: l ~J - ---(~~--,, --J - __ ~ //. /( ON 71 NI H DIOD[S Tlp/ Type PL 24Z m in . 22,8 nom . 24 max. '.V) - - - 25,6 -- Iz . (mA) 25 J "T (O} 15 J ocVZT (10-•/ 0 C) 8 I I I - 39 '" ( mA) --- ~·~·''J Cose F 126 . Fig. - -- 20 I PL PL PL 27Z 30Z 33Z 25,1 28 31 27 30 33 28,9 32 35 25 25 25 15 15 15 I 8,S 8,5 8,5 . 35 31 29 F 126 F 126 F 126 20 20 20 PL 36Z 34 36 38 10 40 8,5 26 F 126 20 PL 39Z 37 39 41 10 40 9 24 F 126 20 PL 43Z 40 43 46 10 45 9 22 F 126 20 PL 47Z 44 47 so 10 45 9 20 F 126 29 PL 51Z 48 51 54 10 60 9 19 F 126 20 PL 56Z 52 56 60 10 60 9 17 F 126 20 PL 62Z 58 62 66 10 80 9 15 F 126 20 PL 68Z 64 68 72 10 80 9 14 F 126 20 PL 7SZ 70 75 79 10 100 9 13 F 126 20 PL 82Z 77 82 87 10 100 9 12 F 126 20 PL 91Z 85 91 96 s 200 9 10 F 126 20 PL 100Z 94 100 106 s 200 9 9,4 F 126 20 PL 110Z 104 110 116 s 250 9,5 8,6 F 126 20 PL 120Z 114 120 127 s 250 9,5 7,8 F 126 20 PL 130Z 124 130 141 s 300 9,5 7 F 126 20 PL 1SOZ 138 150 156 s 300 9, 5 6,4 F 126 20 PL PL PL 160Z 180Z 200 I 153 168 188 160 180 200 171 191 112 s s s 350 350 350 9,5 9,5 10 5,8 5,2 s . F 126 F 126 F 126 20 20 20 -·r- ~ DIODE STABILIZATOARE SILICON ZENER DIODES Vz ! Ti p/ Type I nom. min. max. lzT rzT lzK rzK °'VZT l zH <c - 1s•c I C apsuh1 f ig. I (V) I (V) I (V) (mA) (O) (mA) (O) (10-•1°ci ( mA) I Case 4W - -· - 4DZ10 10 9 11 250 2,4 2 250 5,5 J50 DO 4 22 4DZ12 12 10,5 13,5 210 J,2 2 250 6,5 JOO DO 4 22 4DZ15 15 13 16,5 170 4,5 2 250 7 250 DO 4 22 4DZ18 18 16 20,5 140 6 2 250 7,5 200 DO 4 22 4DZ22 22 20 24,5 115 8,5 2 250 8 160 DO 4 22 4DZ27 27 24 30 95 11 2 250 8,5 130 DO 4 22 4DZ33 J3 29 36 75 17 2 300 8,5 110 DO 4 22 4DZJ9 J9 35 43 65 21 2 300 9 90 DO 4 22 4DZ47 47 42 52 55 28 2 400 9 78 DO 4 22 4DZ56 56 50 62 45 J8 2 500 9 64 DO 4 22 4DZ68 68 61 75 J7 52 2 600 9 53 DO 4 22 4DZ82 82 74 91 30 72 2 700 9 44 DO 4 22 4DZ100 100 190 110 25 96 2 900 " 9 35 DO 4 22 ~. 4DZ120 12Q 105 1J5 20 135 2 120& 9,5 30 DO 4 22 4DZ150 150 130 165 17 190 2 1500 9,5 25 DO 4 22 4DZ180 180 160 205 14 260 2 1800 9,5 20 DO 4 22 10 w - - 10DZ6V8 6,8 6,1 7,5 370 1,2 3 500 10DZ8 8 7,4 9,1 305 1,8 I 3 250 3 4 1300 1100 DO 4 DO 4 22 22 tu ll: to to ? 11 1'10 '.1,4 J )'10 '> 'IJ'i l>O 4 ') ) tO l>lf) 11 l,, 2~0 S.I 100J'H 100 Z1B 15 18 10,!1 13 16 1 J,!I 16,5 20,5 210 170 140 4,5 6 2 2 ' 250 250 6, 3 6,8 110 625 500 L>O 4 DO 4 DO 4 22 22 22 10DZ22 22 20 24,5 115 8,5 2 250 7,J 415 DO 4 22 10DZ27 27 24 JO 95 11 2 250 7,7 JJ5 DO 4 22 10DZ33 JJ 29 J6 75 17 2 JOO 8 275 DO 4 22 10DZJ9 J9 35 43 65 21 2 JOO 8,5 230 DO 4 22 10DZ47 47 42 52 55 28 2 400 8,5 195 DO 4 22 10DZ56 56 50 62 45 38 2 500 8,8 160 DO 4 22 10DZ68 68 61 75 J7 52 2 600 9 135 DO 4 22 10DZ82 82 74 91 30 72 2 700 9,2 110 DO 4 22 10DZ100 100 90 110 25 96 2 900 9,J 90 DO 4 22 10DZ120 120 105 135 20 136 2 1200 9,4 77 DO 4 22 10DZ150 150 1JO 165 17 190 2 1500 9,6 62 DO 4 22 10DZ180 180 160 205 14 260 2 1850 9,6 50 DO 4 22 10DZ12P 12 10,5 13,5 210 3,2 1 250 6,5 730 TO 220 12 10DZ15P 15 13 16,5 170 4,5 1 250 7 590 TO 220 12 10DZ18P 18 16 20,5 140 6 1 250 7,5 490 TO 220 12 10DZ22P 22 20 24,5 115 8,5 1 250 8 410 TO 220 12 10Dz27·p 27 24 JO 95 11 1 250 8,5 330 TO 220 12 10DZJ3P 33 29 J6 75 17 1 300 8,5 270 TO 220 12 10DZJ9P 39 J5 43 65 21 1 300 9 230 TO 220 12 10DZ47P 47 42 52 55 28 1 400 9 190 TO 220 12 10DZ56P 56 50 62 45 J8 1 500 9 160 TO 220 12 10DZ68P 68 61 75 37 52 1 600 9 140 TO 220 12 10DZ82P 82 74 91 JO 72 1 700 9 110 TO 220 12 10DZ100P 100 90 110 25 96 1 900 9 90 TO 220 12 10DZ120P 120 105 135 20 135 1 1200 9,5 70 TO 220 12 10DZ150P 150 130 165 17 190 1 1500 9,5 60 TO 220 12 a. 10DZ180P 180 160 205 14 260 1 1800 9,5 50 TO 220 12 ~ DIODE STABILIZATOARE • SILICON ZENER DIODES Vz Tip/Type nom. .min. max. 1z1 •zr 1zK 'ZK "VZT te = 1ZM 75°C Capsula Cose Fig. ( mA) (0) (mA) (O) (10 ' / 0 C) (V) I (V) 1 (V) (mA) o I 1 I 2 I 3 I 4 I 5 I 6 I 7 I 8 I 9 I 10 I 11 20 w I I - 2 0DZ6V8 6,8 8,2 6,1 7,4 7,5 9,1 730 610 1 1,2 3 3 250 150 3 4 2700 2200 DO DO 5 5 23 23 20DZ8V2 I 20DZ10 10 9 11 500 1,8 2 150 . 5 1800 DO 5 23 I "!. 20DZ12 12 10,5 13,5 420 2,4 2 150 5,7 1540 DO 5 23 20DZ15 15 13 16,5 330 3,9 2 150 6,3 1250 DO 5 23 20DZ18 18 16 20,5 280 5,7 2 150 6,8 1000 DO 5 23 20DZ22 22 20 24,5 230 6,9 2 150 7,3 830 DO 5 23 20DZ27 27 24 30 180 9 2 200 7,7 665 DO 5 23 20DZ33 33 29 36 150 11 2 200 8,0 555 DO 5 23 20DZ39 39 35 43 120 13 2 200 8,3 465 I DO 5 23 20DZ47 47 42 52 100 16 2 200 8,6 390 DO 5 23 20DZ56 56 50 62 90 18 2 50 1 8,8 320 DO 5 23 20DZ68 68 61 75 73 24 2 500 9,0 265 DO 5 23 20DZ82 82 74 91 60 33 2 so 9,2 220 DO 5 23 20DZ100 100 190 110 50 56 2 70 9,3 180 DOS 23 20DZ120 120 105 135 42 75 2 700 9,4 154 DOS 23 20DZ150 150 130 165 33 150 2 1000 9,6 125 DO 5 20DZ180 180 160 205 28 280 I 2 1001 9,6 100 DOS 23 23 -50 w 50DZ10 10 9 11 1200 0,8 5 8 6,0 3900 DO 5 23 50DZ12 12 10,5 13,5 1000 1,2 5 8 6,S 3000 DO 5 23 50D Z15 15 13 16,5 830 1,8 5 8 7 2500 DO 5 23 50DZ18 18 16 20,5 700 2,4 5 8 7,5 2200 DO 5 23 50DZ22 22 20 24,5 570 2,7 5 90 8 1900 DO 5 23 50DZ27 27 24 30 460 3,0 5 91 8,5 1500 DO 5 23 50DZ33 33 29 36 380 3,5 5 91 8,5 1300 DO 5 23 50DZ39 39 35 43 320 4,5 5 10 9 1050 DO 5 23 50DZ47 47 42 52 270 5,5 5 10 9 880 DO 5 23 50DZ56 56 50 62 220 7,0 s 12 9 740 DO 5 23 50DZ68 68 61 75 180 9,0 5 15 9 600 DO 5 23 50DZ82 82 74 91 150 15 5 18 9 490 DO 5 23 50DZ100 100 90 110 120 30 5 22 9 400 DO 5 23 50DZ120 120 105 135 100 60 5 32 9,5 336 DO 5 23 50DZ150 150 130 165 85 85 5 50 9,5 270 DO 5 50DZ180 180 160 I 205 I 68 100 5 601 9,5 220 DO 5 23 23 $ I___ - • „ ;\,I 'I • „•r..., I., .. . · '.., ~ DIODE REDRESOARE CU SILICIU (NORMALE ŞI RAPIDE) SILICON RECT/FIER DIODES (NORMAL AND FAST RECOVERY) 1F/Tamb 1o / Tamb 1R/Tamb 1FSM . VF/ 1 F •rr Tip/ Type (Tcau) (T case) VRRM=VR IFRM (10 ms) ~ 1 VRRM (Tcase) Capsula (V) (A) (ns) Cose Fie. (A) I (•C) (A) I (°C) (A) (V) I (A) (mA) I <·C) -0,4 A I 1 I I I BA 157 0 ,5 25 0 ,4 25 400 2 15 1, 5 0,4 0,005 25 300 F 126 20 BA 158 0 ,5 25 0 ,4 25 600 2 15 1, 5 0,4 0,005 25 300 F 126 20 BA 159 0 ,5 25 0,4 25 1000 2 15 1,5 0,4 0,005 25 300 F 126 20 BAX 157 0,5 25 0,4 25 400 2 I 15 0,97 0,4 0,005 25 400 F 126 20 DRR 104 0,5 25 0,4 25 100 2 15 1,5 0,4 0,1 100 1000 F 126 20 DRR 204 0,5 25 0,4 25 200 2 15 1,5 0,4 0,1 100 1090 F 126 20 DRR 404 0,5 25 0,4 25 400 2 ' 15 1,5 0,4 0,1 100 1000 F 126 20 DRR 604 0,5 25 0,4 25 600 2 15 1,5 0,4 0,1 100 1000 F 126 20 DRR 114 0,5 25 0,4 25 1000 2 15 1,5 0,4 0,1 100 1000 F 126 20 I 0,75 -- A ·~ I F 057 1 25 0,75 25 50 F F 087 107 1 1 25 25 0,75 0,75 25 25 80 100 4 4 4 30 30 30 1 1 1 0,75 0,75 0,75 0,05 0,05 0,05 100 100 I DO DO 13 13 21 21 100 DO 13 21 F 207 1 25 0,75 F F 307 407 1 1 25 25 0 ,75 0,75 25 25 25 400 600 800 4 4 4 30 30 1 1 0,75 0,75 0,05 0,05 100 1 100 I DO DO 13 13 21 21 30 1 0,75 0,05 100 DO 13 21 0101)1 Rl Dl\l .~OARL C.U SILICIU (NORMAU ŞI RAPID!:) . SIUC.ON HI C111 /LR DIOD[S (NORMAL ANO FAST RECOVERY) 1F/Tamb lo/Tamb (Tcase) IFSM VF/I F . IR/ Ta mb Tip/ Type (T case) VRRM - VR IF RM (V) (A) (1 0 ms) f i VR RM ( Tcase ) ' rr Capsula (A) (ns) Coie Fis . (A) ("C) (A) . ("C) (V) (A) (mA) ("C) I 1 A - I '1 N 4001 1,15 75 1 7S so 10 30 1,1 1 o.os 100 F 126 1 N 4002 1,1S 7S 1 75 100 20 1 N 4003 1,15 75 1 7S 200 10 10 30 1,1 1 o.os 100 F 126 20 1N 4004 1,15 75 1 75 400 10 30 1,1 1 o.os 100 F 126 20 30 1,1 1 0,05 100 F 126 1N 4005 1, 15 75 1 75 600 10 20 30 1,1 1 0,05 100 F 126 1 N 4006 1,15 7S 1 75 800 20 1 N 4007 1,15 7S 1 75 1000 10 30 1,1 1 o.os 100 F 126 20 D1N13 1,15 75 1 7S 1300 10 30 . 1.1 1 o.os 100 F 126 20 10 30 1,1 1 0 ,05 100 D1N16 1,1S 75 1 7S 1600 10 F 126 20 30 1,1 1 0,05 100 F 126 20 2 A - - F 102 2,4 25 2 25 100 6,5 70 1,2 2 1 F 202 2,4 25 150 DO 13 21 2 2S 200 6,S 70 1,2 2 1 F 402 2,4 25 2 1SO DO 13 21 25 400 6,5 70 1,2 2 1 1SO F 602 2 ,4 25 2 2S DO 13 21 600 6,5 70 1,2 2 1 1SO F 802 2,4 25 2 2S 800 DO 13 21 6,5 70 1,2 2 1 1SO F 112 2,"4 25 2 25 1000 DO 13 21 6,S 70 1,2 2 1 150 --.) ..... DO 13 21 t.AI„ 1rv~r,... '"„ • _..„„„„...„„„„„„„„„„„_.._..___________ !-:! DIODE REDRESOARE CU SILICIU (NORMALE ŞI RAPIDE) SILICON RECT/FIER D/ODES (NORMAL ANO FAST RECOVERY) I: V RRM J!:- V> I: "' t 'FsM l ' vi = 10ms I t = P t lt vj 10ms 1FAV M / 'c V FM/I FM te c: 25°C VF O rf "":rr i R/' vi VR =VRRM R,hj c Ca. p iuia. - Fis. I T i p/ Typo Cose ~ - (V) (A) ( A) (°C) I I I ( A) (•C) (A 's) I I I (•C) IA' s) (• C) (A) I (• C) (V) (A) (V) (m fi) (µs) 1I <•cJ El I o I 1 I l I 3 I ~ l 5 I ' I 7 I 8 I 9 I 10 I 11 I 12 I 13 I 1<4 I 1s I 16 1 11 I 1e I 19 I 20 I 21 I 22 ' I 100 9,4 60 I 2525 - _I 18 1 - - - 6 85 1,25 6 - - - 1 125 6, 5 T0220 12 200 9,4 60 - - 18 - - - 6 85 1,25 6 - - - 1 125 6,5 T0220 12 300 9,4 60 25 -- - 18 - - - 6 85 1,25 6 - - - 1 125 6,5 T0220 12 400 9,4 60 25 - 18 - - - 6 85 1,25 6 - - - 1 125 6,5 T0220 12 500 9,4 60 25 - - 18 - -- - 6 85 1,25 6 - - - 1 125 6, 5 T0220 12 100 200 9,5 9,4 60 60 I 25 25 - - - - 18 18 - - - - - 6 6 85 85 1,25 1,25 5 5 - - -- 0,6 0,6 1 1 125 125 6,5 6,5 T0220 T0220 12 12 300 9,4 60 25 - - 18 - - - 6 85 1,25 5 - - 0,6 1 125 6,5 T0220 12 400 9,4 60 25 - -- 18 - - -- 6 85 1,25 5 - - 0,6 1 125 6,5 T0220 12 500 9,4 60 25 - 18 - - 6 85 1,25 5 - - 0,6 1 125 6,5 T0220 12 "' 50 \5,7 210 55 150 160 220 25 110 160 10 125 1,4 35 0,85 15 - 3 150 2,5 DO 4 22 100 15,/' 210 25 150 160 220 25 110 110 160 10 10 125 125 1,4 1,4 35 35 o.as 0,85 15 15 -- 3 3 150 150 2,5 2,5 DO DO 4 4 22 22 200 15,7 210 25 150 160 220 25 160 300 15,7' 21 0 25 150 160 220 25 110 160 10 125 1,4 35 0,85 15 - 3 150 2,5 DO 4 22 400 15,7 210 25 150 160 220 25 110 160 10 125 1,4 35 0,85 15 - 3 150 2,5 DO 4 22 500 15,7 210 25 150 160 220 I 25 110 160 10 10 125 125 1,4 1,4 35 53 0,85 0,85 15 15 - - 3 3 150 150 2,5 2,5 DO DO 4 4 22 22 D10 600 15,7 210 22 150 160 220 25 110 160 D10N8 800 15,7 210 25 150 160 220 25 110 1 160 10 125 1,4 D10N10 1000 15,7 210 25 150 160 220 25 35 0,85 15 - 3 150 2,5 DO 4 22 D10N12 1200 15,/' 210 25 150 160 220 25 110 1 160 l 160 10 125 1,4 35 0,85 15 - 3 150 2,5 DO 4 22 D1 0N14 1400 15,7 11 o 10 125 1,4 35 0,85 15 - 3 150 2,5 DO 4 22 D10N 16 1600 15,7 210 210 25 25 150 150 160 160 220 220 25 25 110 110 160 160 10 10 125 125 1,4 1,4 35 35 0 ,85 0 ,85 15 15 -- 3 3 150 150 2,5 2,5 DO 4 22 D10F05 50 15,7 DO 4 22 210 25 150 150 220 25 110 150 10 115 1,3 10 1 19 0,6 3 115 2,4 D10F1 100 15,7 DO 4 22 210 25 150 150 220 25 110 150 10 115 1,3 10 1 19 0,6 3 115 2,4 DO 4 D10F2 200 15,7 210 25 150 150 220 22 25 110 150 10 115 1,3 10 1 19 0 ,6 3 115 2,4 DO 4 D10F3 300 15,7 210 25 150 150 220 25 22 110 150 10 115 1, 3 10 1 19 0 ,6 3 115 2,4 DO 4 D10F4 400 15,7 210 25 150 150 220 25 22 110 150 10 11~ 1,3 I 10 1 19 0,6 3 115 2,4 DO 4 22 . · . D10F5 500 15,7 210 25 150 150 220 25 110 150 10 115 1,3 10 1 19 0 ,6 3 115 2,4 DO 4 22 D10F6 600 15,7 210 25 150 150 220 25 110 150 10 115 1,3 10 1 19 0 ,6 3 115 2,4 DO 4 22 D10F8 800 15,7 D10F1 0 1000 15,7 210 210 25 25 150 150 150 150 220 220 25 25 110 110 150 150 10 10 115 115 1,3 1,3 10 10 1 1 10 o,6 I 3 115 2,4 DO 4 22 10 0,6 3 115 2,4 DO 4 22 15 A RAG°î1 5 100 - - 250 25 - - 312 25 - - 15 100 1,2 50 1 5 - 3 150 1,2 RAG 24 RAG 215 200 250 25 - - 312 25 - - 15 100 1,2 50 1 5 - I 3 150 1,2 RAG 24 16 A* I 516N05 so 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 50 1 10 - 3 150 2, 5 DO 4 22 D16N1 100 25 250 25 180 150 315 D16 N2 200 25 250 25 26 160 150 16 125 1,4 so 1 10 - 3 150 2,5 DO 4 22 D16 N3 300 25 250 25 180 180 150 150 315 26 160 150 16 125 1.4 50 1 10 - 3 150 ' 2,5 DO 4 22 D1 6N4 400 25 250 25 180 150 315 315 26 26 160 160 150 150 16 125 1,4 50 1 10 - 3 150 2 ~5 DO 4 22 D16NS 500 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 16 125 125 1,4 1,4 50 1 10 - 3 150 '. 2,5 DO 4 22 D16N6 600 25 250 25 180 150 50 1 10 - 3 150 2,5 DO 4 22 315 26 160 150 16 125 1,4 50 1 10 - 3 150 2,5 DO 4 22 • Toa te diodele se po t comanda ş 1 in va..-ian u invcrsl At r cqucst a.li d1odos can be de ltve red 1n direc t o r reverse mo un t in& ..., "" DIODE REDRESOARE CU SILICIU (NORMALE ŞI RAPIDE) SILICON RECT/FIER DIODES (NORMAL AND FAST RECOVERY) i .,, I: VFM/1FM i R/'vj VR.R.M I: a: t IFsM l 'vi = 10ms t i't/<vj = 10ms IFAVM /'c tc:i:::i=l5oc VFO 'F rr vR.-vR.RM R,h.jc I Capsula .J:- Fis. Tip/Type ~ 1 Case (V) I (A) . ~A) I (•C) I (A) i (•C) (A's) I( 0 C} I IA's) I (C) 0 (A) I (•C) (V) I (A) (V) (mn) (µs) îI (·C) ~ I I 1.4 I so . D16 N8 800 25 250 25 180 ' 150 31S 26 160 150 16 12S 1 10 - 3 150 2,S DO 4 22 ' D16N10 1000 25 2SO 25 180 150 315 26 160 1so 16 125 1,4 so 1 10 - 3 1SO 2,5 DO 4 22 D16N12 1200 25 250 25 180 1SO 315 26 160 150 16 125 1,4 so 1 10 - 3 150 2,5 DO 4 22 D16N14 1400 25 250 2S 180 1SO 315 26 160 150 16 125 1,4 so 1 10 - 3 1SO 2,S DO 4 22 D16N16 1600 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 50 1 10 - 3 150 2,5 DO 4 22 D16F05 so 25 : 250 2S 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 16 1,1 13,75 0,6 3 100 1,9 DO 4 22 D16F1 100 25 2SO 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 16 1,1 13,7S 0,6 3 100 1,9 DO 4 22 I D16F2 200 2S 250 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 16 1,1 13,7S 0,6 3 100 1,9 DO 4 22 I D16F3 300 2S 250 25 180 1SO 315 26 160 150 150 16 16 125 12S 1,4 1,4 · 16 16 1,1 1,1 13,75 13,7S 0,6 0,6 3 3 100 100 1,9 1.,9 DO DO 4 4 22 22 D16F4 ;. 400 25 250 25 180 150 315 26 160 D16F5 500 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 16 1,1 13,75 0,6 3 100 1,9 . DO 4 22 D16F6 600 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 16 1,1 13,75 0,6 3 100 1,9 DO 4 22 D16F8 800 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 12S 1,1 16 1,1 13,75 0,6 3 100 1,9 DO 4 22 D16F10 1000 25 250 25 180 150 315 26 160 150 16 125 1,4 16 1,1 13,7S 0,6 3 100 1,9 DO 4 22 10 A* RA"î20 100 31 250 25 180 150 312 25 162 150 20 90 1,4 60 1,25 2,S - 3 150 2 DO 21 25 RA 220 LOO 31 250 25 180 1so 312 2S 162 150 20 90 1,4 60 1,25 2,5 - 3 150 2 DO 21 25 ,8 "~ • -- - 1P:~M 11111 111 mu 1' Hlll Utl 1100 JI ou 1W H 100 Lot 110 j :1 !'O t.i 110 Jj u t\A JI \ 100 10 „oo J 'l JOO 1'10 uoo ) !; '4!;0 i!;O J!; 100 1.1 uo ' ~ J HO u uo !t 1~ l>:J'1N0'1 L)l SN I 110 100 "o 40 '100 400 ,~ 25 300 300 160 160 800 800 15 25 4Sll 450 160 160 211 25 1'S 1,4 125 1,4 80 0,9 80 0,9 11,S S,5 -- 5 s 1SO 150 1,1 1,1 00 !> DOS 23 23 025N2 200 40 400 25 300 160 800 25 450 160 2S 125 1,4 80 0,9 S,5 - s 150 1,1 DO 5 23 D25N3 300 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 125 1,4 80 0,9 5,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D25N4 400 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 125 1,4 80 0,9 5,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D25N5 500 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 125 1,4 80 0,9 5,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D25N6 600 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 125 1,4 80 0,9 5,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D25N8 800 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 125 1,4 80 0,9 5,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D25N10 1000 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 125 1,4 80 0,9 5,5 - s 150 1,1 DO 5 23 D25N12 1200 40 400 25 300 160 800 25 450 160 2S 125 1,4 80 0,9 S,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D25N14 1400 40 400 25 300 160 800 25 450 160 25 12S 1,4 80 0,9 5,5 - 5 150 1,1 DO 5 23 D2S N16 1600 40 400 25 300 160 800 2S 450 160 25 12S · 1,4 80 0,9 5,5 - 5 1so 1,1 DO 5 23 D25FOS so 40 350 25 275 150 610 2S 380 150 2S 100 1,S 25 1,0S 11,25 0,6 s 100 1,1 DO 5 23 D25F1 100 40 350 25 2i'5 150 610 2S 380 150 25 100 1,5 25 1,05 11,25 0,6 5 100 1, 1 DO 5 23 D25F2 200 40 350 25 275 150 610 ~s 380 1so 25 100 1,5 25 1,05 11,25 0,6 5 100 1.1 DO 5 23 D25F3 300 40 350 25 2i"5 150 610 25 380 150 25 100 1,5 25 1,05 11,25 0,6 5 100 1.1 DO 5 23 D25F4 400 40 350 25 275 150 610 25 380 150 25 100 1,5 25 1,05 1 11,25 0,6 s 100 1, 1 DOS 23 D25F5 500 40 350 25 275 150 610 25 380 150 25 100 1,5 25 1,05 11,25 0,6 5 100 1,1 DOS 23 D2SF6 600 40 350 25 275 150 610 25 380 150 25 100 1,5 25 1,05 11,25 0,6 5 100 1,1 DO 5 23 D25F8 800 40 350 25 275 150 610 2S 380 150 25 100 1,S 2S 1,05 11,25 0,6 5 100 1,1 DO 5 23 D2SF10 1000 40 350 25 275 150 610 25 380 150 25 100 1,5 25 1,05 11,25 0,6 5 100 1,1 DO 5 23 32 A* D32N05 so 50 450 25 340 150 1010 25 580 150 32 100 1,7 100 f 6,6 - 5 150 1,0 DO 5 23 D32N1 100 50 450 25 340 150 1010 2S S80 150 32 100 1,7 100 1 6,6 - 5 150 1,0 DO 5 23 D32N2 200 50 4SO 25 340 1SO 1010 25 S80 1SO 32 100 1,7 100 1 6,6 - 5 150 1,0 DO 5 23 D32N3 300 so 4SO 25 340 150 1010 2S 580 150 32 100 1,7 100 1 6,6 - 5 150 1,0 DO 5 23 D32N4 D32N5 400 500 so 50 I 450 450 25 25 340 340 150 150 1010 1010 2S 25 S80 580 150 1so 32 32 100 100 1,7 1,7 100 100 1 1 6,6 6,6 - - 5 5 150 150 1,0 1,0 DO DO 5 5 23 23 _, • Toate diode le se pot comanda $i in varianta i nvers~ C• At r cquest all d iodes can be delivored in direct or rever se mountin1 DIODE REDRESOARE CU SILICIU (NORMALE ŞI RAPIDE) ci SILICON RECT/FIER DIODES (NORMAL AND FAST RECOVERY) I- I~ 'FsM l 1 vi i' t / •v j VFH/ 1FM ~rr I I I 1- I ( I 1FAVH / 'c VFO 'F iR / 'vi R•hjc 1- I V RRM = 10ms = 10ms c,= 25° C t t lvR =VRRM Capsula fig . ~ Î Cos• Tip/ Type (V) I (A) - (A) (°C) I (A) l( 0 C) IA' sl 0 C) IA' s) I( 0 C) (A) I (•C) (V) I I (A) (V) ( m O) (µs) I îI I~ 0 < Cl ) I I D32N6 600 50 450 25 340 150 1010 2S I S80 1so 32 100 1,7 100 1 6,6 5 1 150 l,O . DO 5 23 D32N8 800 50 450 25 340 150 1010 25 580 1 so 32 100 1.7 100 1 6,6 s 1SO 1,0 DO S 23 450 2S 340 150 1010 2S S80 1 so 32 100 1,7 100 1 6,6 5 150 1,0 DO 5 23 I D32N10 D32N12 032N14 1000 1200 1400 50 50 50 450 450 2S 2S 340 340 150 150 1010 1010 2S 25 S80 S80 150 1 so 32 32 100 100 1.7 1,7 100 100 1 1 6,6 6,6 I 5 150 5 150 1,0 1,0 DO DO S 5 23 23 D32N16 1600 50 450 25 340 150 1010 2S S80 150 32 100 1,7 100 1 6,6 5 150 1,0 DO S 23 D32FOS 50 50 400 25 300 1SO 800 25 450 150 32 90 1,5 30 1,1 9 0 ,8 5 100 1,0 DO S 23 D32F1 100 50 400 25 300 1SO 800 25 450 150 32 90 1,S 30 1,1 9 0,8 5 100 1,0 DO 5 23 D32F2 200 50 400 25 300 1 so 800 25 450 150 32 90 1,5 30 1,1 9 0,8 s 100 1,0 DO 5 23 D32F3 300 50 400 25 300 150 800 25 450 150 32 90 1,5 30 1,1 9 0,8 5 100 1,0 DO S 23 D32F4 400 50 400 25 300 150 800 25 450 150 32 90 1,S 30 1.1 9 0,8 5 100 1,0 DO 5 23 D3 2F5 D32F6 500 600 I 50 50 400 400 2S 25 300 300 150 150 800 800 2S 2S I 450 450 1SO 1so 32 32 90 90 1,5 1,5 30 30 1.1 1,1 9 9 o.a 0,8 s 100 s 100 1,0 1,0 DO DO 5 5 23 23 D32F8 800 50 400 25 300 1SO 800 25 450 1so 32 90 1,5 30 1, 1 9 o.a 5 100 1,0 DO 5 23 D32F10 1000 50 400 25 300 150 I 800 25 4SO 150 32 90 1,S 30 1, 1 9 o.a 5 100 1,0 DO 5 23 40 A* 040No5 D40M 50 100 62 62 soo soo 2S 2S 380 380 150 150 12SO 1250 25 25 720 720 1so 1 40 1SO 40 100 100 1,3S 1,3S 12S 12S 0,8 0,8 4 4 - - 10 1SO 10 1SO I 1,0 1,0 DO DO S S 23 23 1,0 DO S 23 I D40N2 D40N3 200 300 62 62 soo soo 2S 2S 3ao 3ao 1 so 1 so 1250 1250 2S 2S 720 720 1 so 1SO 140 40 100 100 1,35 1,35 12S 125 0,8 0 ,8 4 4 - - 10 1SO 10 , 1so 1,0 DO S 23 D40N4 400 62 500 2S 380 1SO 12SO 25 720 1SO 40 100 1,35 125 0,8 4 - 10 150 1,0 DO S 23 I D40N5 500 62 500 2S 380 150 12SO 25 720 1SO 40 100 1,35 12S 0,8 4 - 10 150 1.0 DO 5 23 lHON• 0'40N8 600 800 62 61 ~00 500 2!> 25 380 380 150 150 1250 1250 25 25 720 720 1SO 150 '40 '40 100 100 1,35 1,3S 125 12S 0,8 o.a 4 ... - - 10 10 150 150 1,0 1,0 DO 5 DO 5 23 23 0'40N10 J OOO. 62 S0,0 25 380 150 12SO 25 720 1SO 40 100 1,35 12S 0,8 4 - 10 1SO 1,0 DO S 23 040N1l 1 200 62 500 2S 380 150 1250 2S 720 1SO 40 100 1, 3S 12S 0,8 4 - 10 1SO 1,0 DOS 23 D'40N1 .f'° 1400 62 500 25 380 150 12SO 2S 720 1SO 40 100 1,35 125 0,8 4 - 10 . 150 1,0 DOS 23 D40N16 D40FOS 1600 62 so 62 500 soo 25 25 380 380 150 1 so 12SO 1250 25 25 720 720 1SO 1SO 40 40 100 90 1,35 1. S 125 100 0,8 1,1 4 5,8 -0 ,8 10 s 150 100 1.0 0,9 DO 5 DO 5 23 23 D40F1 100 62 soo 25 380 1SO 12SO 2S 720 150 40 90 1,S 100 1,1 S,8 0 ,8 s 100 0,9 DO 5 23 D40F2 200 62 soo 25 380 150 1250 25 720 150 40 90 1,5 100 1,1 5,8 0 ,8 s 100 0,9 DO 5 23 D40F3 300 62 500 25 380 150 1250 25 720 1SO 40 90 1,5 100 1,1 5,8 0 ,8 s 100 0,9 DO 5 23 D40F4 '400 62 500 25 380 150 1250 2S 720 150 40 90 1,5 100 1.1 5,8 0 ,8 s 100 0,9 DOS 23 D40FS 500 62 500 25 380 150 1250 2S 720 1SO 40 90 1,S 100 1.1 5,8 0 ,8 s 100 0,9 DO 5 23 040F6 600' 62 500 2S 380 150 1250 2S 720 150 40 90 1,5 100 1,1 5,8 0 ,8 s 100 0,9 DO 5 23 D40FS 800 62 500 25 380 150 12SO 25 720 1SO 40 90 1,5 100 1.1 5,8 0,8 s 100 0,9 DO 5 23 D40F10 1000 62 500 2S 380 150 1250 26 720 150 40 90 1,5 100 1,1 5,8 0,8 s 100 0,9 DO 5 23 50 A* DsONoS so 78 sso 2S 420 1SO 1S10 2S 880 1SO so . 90 1,SS 150 0,8S 4 - 10 1SO 0,9 DO 5 23 DSON1 100 78 sso 25 420 1SO 1S10 2S 880 1 so 50 90 1,55 1SO 0,85 4 - 10 1SO 0,9 DOS 23 DSON 2 200 78 S50 25 420 150 1S10 25 880 1 so 50 90 1,55 150 0,8S 4 - 10 150 0,9 DO 5 23 DSON3 300 78 550 25 420 150 1510 25 880 1 so so 90 1,SS 1 so 0,85 4 - 10 1SO 0,9 DO 5 23 D50N4 400 78 550 25 420 150 1510 2S 880 1SO so 90 1,SS 1SO 0,85 4 - 10 150 0,9 DO S 23 D50NS DSON6 soo 600 78 78 S50 S50 2S 2S 420 420 1SO 150 151 0 1S10 2S 2S 880 880 1SO 150 90 so 90 90 1,SS 1,5S 1SO 150 0,8S 0 ,85 4 4 -- 10 10 1SO 0,9 150 0 ,9 DOS DO S 23 23 D50N8 800 78 550 25 420 150 1 S10 2S 880 150 so 90 1, SS 150 0,8S 4 - 10 1so 1 0 ,9 DOS 23 D50N10 1000 78 5SO 25 420 150 1510 25 880 150 50 90 1,5S 1SO o.as s - 10 1 so o, 9 DOS 23 D50N12 1200 78 550 2S 420 1SO 1S10 25 880 1SO so 90 1,55 1SO 0,85 s - 10 1SO I 0,9 DO 5 23 D50N14 1400 78 sso 25 420 150 1510 25 880 1SO so 90 1,5S 1SO 0,8S 5 s - 10 1 so 0,9 DO 5 I 23 DSON1 6 1600 78 550 2S 420 1SO 1S10 2S 880 1SO so 90 1,55 1SO 0,8S - 10 1 so 0,9 DOS 23 ::;! • Toate diodele •• pot comand1 fi in varianta invers• Ac: requen all dlodt1 can be de livered in direcc or reverse mountin1 Ol DIODE REDRESOARE CU SILICIU (NORMALE ŞI RAPIDE) SILICON RECT/FIER DIODES (NORMAL AND FAST RECOVERY) 1FIT amb 1ol"iamb IFS M VF I IF IR/Tamb Capsula VRRM=VR IFRM trr Tip/Type (T case> • (T case> I V RRM (Tcase> Case Fî1. I (A) I ( OC) I (A)' I (OC) I (V) (A) (A) I (V) I (A) I (mA) I (OC) (ns ) ' 60 A* Ks106o 70 (110) 60 (110) 100 200 1500 1,2 190 5 (125) F 62 m 26 KS4060 70 (110) 60 (110) 400 200 1500 1,2 190 5 (125) F 62 m 26 KS6060 70 (110) 60 (110) 600 200 1500 1,2 190 . 5 (125) F 62 m 26 KS1160 70 (110) 60 (110) 1000 200 1500 1,2 190 5 (125) F 62 m 26 90 A* K'0"29o 110 (90) 90 (90) 200 275 1800 1,33 275 20 (150) F 62 m 26 KU 490 110 (90) 90 (90) 400 275 1800 1,33 275 20 (150) F 62 m 26 KU 890 110 (90) 90 (90) 600 275 1800 1,33 275 20 (150) F 62 m 26 KU1090 110 (90) 90 (90) 1000 275 1800 1,33 275 20 (150) F 62 m 26 KU1290 110 (90) 90 (90) 1200 275 1800 1,33 275 20 (150) F 62 m 26 KU1490 110 (90) 90 (90) 1400 275 1800 1,33 275 20 (150) F 62 m 26 200 A* i'iJ21 ~ 240 (110) 200 (110) 200 650 3800 1,4 650 4 (125) s 246 27 TU 22 240 (110) 200 (110) 400 650 3800 1,4 650 4 (125) s 246 27 TU 23 240 (110) 200 (110) 800 560 3800 1,4 650 4 (125) s 246 27 TU 24 240 (110) 200 (110) 1000 650 3800 1,4 650 4 (125) s 246 27 TU 25 240 (110) 200 (110) I 1200 650 3800 1,4 650 4 (125) s 246 27 • Toate diode le se pot comanda şi în varianta inversii At req uest all diodes can be delivered in direct or reverse moutin& DIODE REDRESOARE CU SILICIU (NORMALE Ş I RAPIDE) SILICON RECT/FIER DIODES (NORMAL AND FAST RECOVERY) I I I ~' - Tip/Type (A) 1F/Tamb (Tcase> I (OC) I (A) Io/iamb (T case> I (OC) I VRRM=VR (V) 1FRM (A) 1FSM (A) I v, (V)~A) I " I '•"··' I V I (mA) I RRH (T case (°C) ) l trr (ns) Capsula Case __ - - - -, Fie. --1 I TU 28 240 (1 10) 200 (11 O) 1300 650 I 3000 1,4 650 4 (125) s 246 27 TU 29 300 A* 240 (110) 200 (110) 1800 650 3800 1,4 650 4 (125) I s 246 27 fiJ'31 350 (100) 300 (100) 200 1000 5000 1,4 1100 4 (125) s 246 27 TU 32 350 (100) 300 (100) TU 33 350 (100) 300 (100) 400 1000 5000 . 1,4 1100 4 (125) s 246 27 TU 34 350 (100) 300 (100) 800 1000 5000 1,4 1100 4 (125) s 246 27 TU 35 350 (100) }00 1000 1000 5000 1,4 1100 4 (125) s 246 27 (100) 1000 1000 5000 1,4 1100 4 (l25) s 246 27 350 A* TU 38 400 100 350 100 1300 TU 39 400 1100 5500 1,4 1100 6 (150) s 246 27 100 350 100 1800 1100 5500 1,4 1100 6 (150) s 246 27 • Toate diode le se pot comanda. fi in varianta inversl Ac requcsc all diodes can be del ivered in direct or reverse mountinc ..... "'
Enter the password to open this PDF file:
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-